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J-GLOBAL ID：201202207267580600   整理番号：12A0169301

高品質GaN単結晶基板の開発

著者 (5件)： 藤倉序章 (日立電線) ,  吉田丈洋 (日立電線) ,  齊藤俊也 (日立電線) ,  中山智 (日立電線) ,  根本秀聖 (日立電線)
資料名： 日立電線
号： 31  ページ： 1.27-1.32  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： Y0197A  ISSN： 0910-2817  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ボイド形成剥離法に基づくGaN単結晶基板の製作技術を改善して表面品質と結晶性を大幅に改善した開発状況について報告した。青紫から緑色レーザーダイオードの特性向上を目的としまずボイド形成剥離法について説明した。成長条件の精密制御に基づいたGaN表面の平坦化促進技術について示した。高い表面品質を有するGaN単結晶基板を実現し,材料固有の物性として考えられていたGaN結晶の硬さが制御可能であることや硬さ制御が転位密度の低減に効率的であることを示した。

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *窒化ガリウム ,  単結晶 ,  空孔欠陥 ,  可視レーザ ,  剥離 ,  *半導体プロセス
準シソーラス用語： *GaN基板 ,  青紫色レーザ ,  緑色レーザー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (15件)：

• 1) I.Akasaki, H.Amano, Y.Koide, K.Hiramatsu and N.Sawaki, J.Crystal Growth 98 (1989) 209.
• 2) S.Nakamura, Jpn.J.Appl.Phys. 30 (1991) L1705.
• 3) S.Nakamura, T.Mukai and M.Senoh, Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687.
• 4) S.Nakamura, M.Senoh, S.Nagahama, N.Iwasa,T.Yamada, T.Matsushita, Y.Sugimoto and H.Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1417.
• 5) A.Usui, H.Sunakawa, A.Sakai and A.A.Yamaguchi,Jpn.J.Appl.Phys. 36 (1997) L899.

タイトルに関連する用語 (4件)： 高品質 ,  GaN ,  単結晶基板 ,  開発