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J-GLOBAL ID：201202207279202342   整理番号：12A0719118

シリコンナノワイヤ-パーマロイ横型スピンバルブシステムにおけるスピン分極電子トンネリングの温度発展

Temperature Evolution of Spin-Polarized Electron Tunneling in Silicon Nanowire-Permalloy Lateral Spin Valve System

著者 (12件)： TARUN Jean (RIKEN, Saitama, JPN) ,  TARUN Jean (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  HUANG Shaoyun (RIKEN, Saitama, JPN) ,  FUKUMA Yasuhiro (RIKEN, Saitama, JPN) ,  IDZUCHI Hiroshi (RIKEN, Saitama, JPN) ,  IDZUCHI Hiroshi (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  OTANI Yoshichika (RIKEN, Saitama, JPN) ,  OTANI Yoshichika (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  FUKATA Naoki (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  ISHIBASHI Koji (RIKEN, Saitama, JPN) ,  ISHIBASHI Koji (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  ODA Shunri (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 4  ページ： 045001.1-045001.3  発行年： 2012年04月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 700Ω以上の巨大な非局所的スピンバルブ信号をパーマロイ電極を有するシリコンナノワイヤベースの横型スピンバルブで観測した。観測された巨大スピン信号の大きさを一次元閉じ込めシリコンチャネル中の通常のスピン拡散モデルを用いて説明した。スピン信号の温度依存性から,界面のスピン分極は温度を上昇させると強く脱分極することが見出された。この特別な性質は,極端に薄い空乏層を有するSchottky障壁を通る熱励起された電子のトンネリングにおける増加を考慮することによって説明できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *素子構造 ,  *ナノワイヤ ,  ケイ素 ,  パーマロイ ,  スピン拡散 ,  温度依存性 ,  スピン分極 ,  電子スピン ,  脱分極 ,  トンネル効果 ,  電子 ,  Schottky障壁 ,  注入 ,  巨大磁気抵抗効果
準シソーラス用語： *シリコンナノワイヤ ,  *スピンバルブ ,  スピン注入 ,  電子トンネリング

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (23件)：

• DATTA, S. Appl. Phys. Lett. 1990, 56, 665
• SUGAHARA, S. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 2307
• APPELBAUM, I. Nature (London). 2007, 447, 295
• SASAKI, T. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 122101
• VAN'T ERVE, O. M. J. IEEE Trans. Electron Devices. 2009, 56, 2343

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコンナノワイヤ ,  パーマロイ ,  横型 ,  スピンバルブ ,  スピン分極 ,  電子トンネリング ,  発展