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J-GLOBAL ID：201202207851553143   整理番号：12A1080990

複数の二重ヘテロ構造活性領域を持つInGaN発光ダイオードの量子効率の改善

Improved quantum efficiency in InGaN light emitting diodes with multi-double-heterostructure active regions

著者 (8件)： LI X. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  OKUR S. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  ZHANG F. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  HAFIZ S. A. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  AVRUTIN V. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  OEZGUER Ue. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  MORKOC H. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  JARASIUNAS K. (Semiconductor Optoelectronics Dep., Inst. of Applied Res., Vilnius Univ., Vilnius, LTU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 4  ページ： 041115-041115-4  発行年： 2012年07月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄い低エネルギー障壁で分離した複数の薄い二重ヘテロ構造(DH)活性領域を持つInGaN発光ダイオード(LED)を調べ,量子効率に影響する工程とLEDを改善するための方法を明らかにした。厚み3nmのDH活性層の数を4まで増やすと,厚み増加に伴うキャリア溢れの減少故にエレクトロルミネセンス効率が活性層と共にほぼ線形にスケールし,高注入レベルでは測定した500A/cm²の電流密度まで識別可能な効率低下は殆どなかった。共鳴励起に依存する光ルミネセンスを室温と10Kで測定し,DH層数>6では材料品質が劣化し,従って,無放射再結合が増すことを確認した。LED構造の単層DH厚や量子井戸数の単なる増加に比べ,多重DH活性領域の利用は,材料品質と得られる多数の状態数による量子効率向上の優れた手法であることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子効率 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *発光ダイオード ,  エレクトロルミネセンス ,  素子構造 ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  多層膜
準シソーラス用語： ヘテロ構造

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヘテロ構造 ,  活性領域 ,  InGaN ,  発光ダイオード ,  量子効率