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J-GLOBAL ID：201202207928980708   整理番号：12A1439331

RRAMに適用するサブ32nmEビームHSQピラーパターニングプロセスの基板とアンダーレイヤー依存性

Substrate and Underlayer Dependence of Sub-32nm E-beam HSQ Pillar Patterning Process for RRAM Application

著者 (6件)： CHEN Wei-Su (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Peng-Sheng (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  WEI Hung-Wen (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Frederick T. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  TSAI Ming-Jinn (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  KU Tzu-Kun (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8325  ページ： 83250V.1-83250V.10  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アスペクト比の高い有機アンダーレイヤーとの二層レジスト(BLR)は,コラプスを避けて厚いRRAM膜積層をエッチングするのに欠かせないものである。本研究はHSQピラーのEビームパターニングを,Eビームドーズ条件,パターン密度,HSQ厚さを変えて,カーボンを多く含んだUL TBLC-100PMに対して行った。実験結果は以下の通りである。フッ素または塩素ベースのプラズマに対するTBLC-100PMのエッチレート(エッチ耐性)は低カーボン量のAR3-600ULよりも低い(高い)。TBLC-100PMアンダーレイヤー上のHSQのCD解像度は,古典的短距離近接効果と相互作用する隣接ドットアレイの散乱電子からの長距離フォギング効果に強く依存する。TBLC-100PM UL上のHSQパターニングはCD解像度を上げるために近接およびフォギング効果補正ソフトウエアが必要である。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  フォトリソグラフィー ,  *電子ビームリソグラフィー ,  アスペクト比 ,  *パターン形成 ,  加工速度 ,  有機ケイ素化合物 ,  電子線レジスト
準シソーラス用語： *アンダーレイヤー ,  エッチング速度 ,  シルセスキオキサン ,  パターンコラプス ,  高アスペクト比 ,  電子ビームレジスト

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： RRAM ,  サブ ,  ビーム ,  レイヤー ,  依存性