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J-GLOBAL ID：201202208348855562   整理番号：12A1367513

(100)および(211)のB GaSb上の格子整合ZnTeSe合金の成長

Growth of Lattice-Matched ZnTeSe Alloys on (100)and (211)B GaSb

著者 (5件)： CHAI J. (Texas State University-San Marcos, Material Sci., Engineering, and Commercialization Program, 78666, San Marcos, TX, USA) ,  LEE K.-K. (Texas State University-San Marcos, Material Sci., Engineering, and Commercialization Program, 78666, San Marcos, TX, USA) ,  DOYLE K. (Texas State University-San Marcos, Material Sci., Engineering, and Commercialization Program, 78666, San Marcos, TX, USA) ,  DINAN J.H. (Texas State University-San Marcos, Material Sci., Engineering, and Commercialization Program, 78666, San Marcos, TX, USA) ,  MYERS T.H. (Texas State University-San Marcos, Material Sci., Engineering, and Commercialization Program, 78666, San Marcos, TX, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 41  号： 10  ページ： 2738-2744  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在のHgCdTe/Si系に関する主要問題はHgCdTeとSiの間の大きな不整合に基づく高い転位密度である。優れた格子整合を持つ代替系はHgCdSe/GaSbである。GaSb上にHgCdSeを直接に核を生成する問題を緩和するバッファ層はZnTe_1-xSe_xである。筆者らは(100)および(211)B GaSbの両方の上に格子整合ZnTe_1-xSe_x成長への予備的検討を行った。合金の形態と結晶学におよぼす基板の向き,基板温度および成長条件の影響を調べた。格子整合条件は1.1nmの最小二乗平均平方根(rms)粗さ,29秒角のX線ロッキングカーブ半値全幅(FWHM)値および撮像光ルミネセンスによって測定されるように10⁵cm^-2台半ばの非発光欠陥の密度をもたらした。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *格子整合 ,  アンチモン化ガリウム ,  バッファ層 ,  テルル化亜鉛 ,  基板温度 ,  表面粗さ ,  ロッキングカーブ ,  光ルミネセンス ,  欠陥密度 ,  *合金 ,  セレン化物 ,  *MBE成長
準シソーラス用語： GaSb ,  ZnTe

分類 (3件)： 金属の結晶成長  (BK13030M) ,  硫化鉱物  (DE08040L) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaSb ,  格子整合 ,  成長