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J-GLOBAL ID：201202211809322880   整理番号：12A1152102

原子層堆積によって作製したZnOベースのUV発光ダイオードおよびナノ構造

ZnO-based ultra-violet light emitting diodes and nanostructures fabricated by atomic layer deposition

著者 (4件)： CHEN Miin-Jang (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN Miin-Jang (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  YANG Jer-Ren (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  SHIOJIRI Makoto (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 7  ページ： 074005,1-15  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者がここ数年間に行った,原子層堆積によるZnO膜UV発光ダイオード(LED)およびナノ構造に関する電子光学および構造解析結果について,総合的にレビューを行った。n-ZnO/p-GaNヘテロ接合LED,n-ZnO:Al/ZnOナノドットSiO₂コンポジット/p-GaN:Mgヘテロ接合LED,n-ZnO/ZnOナノドットSiO₂コンポジット/p-AlGaNヘテロ接合LED,p-SiC(4H)上のZnOベースのヘテロ接合LED,SiO₂ナノ粒子層中に埋め込んだZnO量子ドット,c-サファイア基板上へのALD成長ZnO層,サファイア基板上のZnOとAl₂O₃交互ALD成長薄膜,アモルファスガラス基板上にALD成長した高(0001)配向ZnO膜の刺激発光,ALDと熱処理で作製したP型ZnO:P膜について論じた。ALDは,UV LED,レーザ,ガスセンサー用などの高品質のZnO膜およびナノ構造の精製に用いることができることを示した。

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  酸化亜鉛 ,  *発光ダイオード ,  *ナノ構造 ,  電子光学 ,  *構造解析 ,  ナノ複合材料 ,  窒化ガリウム ,  ヘテロ接合 ,  文献展望 ,  半導体材料 ,  炭化ケイ素 ,  基板
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  ナノドット ,  窒化ガリウムアルミニウム ,  サファイア基板

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子層堆積 ,  作製 ,  ZnO ,  発光ダイオード ,  ナノ構造