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J-GLOBAL ID：201202212021041844   整理番号：12A0703686

先端半導体デバイスの製造を支えるマスク欠陥検査装置技術

Mask Inspection Technologies for Manufacturing of Advanced Semiconductor Devices

著者 (3件)： 磯村育直 (東芝) ,  土屋英雄 (東芝) ,  菊入信孝 (東芝)
資料名： 東芝レビュー  (Toshiba Review)
巻： 67  号： 4  ページ： 28-31  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： F0360A  ISSN： 0372-0462  CODEN： TORBA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体デバイスの高集積化及び大容量化に伴い,縮小投影リソグラフィ用の微細パターンを描画したマスクの検査性能の向上が重要度を増している。東芝は1980年代初頭からマスクパターン検査技術の開発を進めてきたが,最先端デバイス世代に適した性能を持つマスク欠陥検査装置をいち早く開発し生産ラインへ投入することが,いっそう求められている。今回,当社は(株)ニューフレアテクノロジーと共同で,マスク欠陥検査装置NPI-7000を開発した。ハーフピッチ(hp)20nm以下のデバイスに適用でき,スループットも従来機に比べて2倍程度改善している。また,将来のリソグラフィ技術として期待されている極端紫外光(EUV:Extreme Ultraviolet)リソグラフィ用の,マスク検査機能も世界に先駆けて搭載した。今後,この装置が効率的なマスク保証ラインの一翼を担えるようにするとともに,リソグラフィの更なる進展に合わせて改良を続けていく。(著者抄録)

シソーラス用語： 型 ,  加工欠陥 ,  *フォトリソグラフィー ,  フォトマスク ,  回路パターン形成 ,  パターン形成 ,  真空紫外線 ,  *欠陥検査 ,  *試験装置 ,  マスク
準シソーラス用語： EUVマスク ,  *EUVリソグラフィー ,  *フォトマスク欠陥 ,  マスクパターン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (1件)：

• (1) Hirano, R. et al. Development of Advanced mask inspection optics with transmitted and reflected light image acquisition. Proc. SPIE. 6518, 2007, p.65181U.1-65181U.8.

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体デバイスの製造 ,  マスク ,  欠陥検査装置