文献

J-GLOBAL ID：201202212062086720   整理番号：12A0025875

マイクロ波およびRF用のナノスケールGME-TRC MOSFETのAC解析

AC analysis of nanoscale GME-TRC MOSFET for microwave and RF applications

著者 (4件)： MALIK Priyanka (Semiconductor Devices Res. Lab., Dep. of Electronic Sci., Univ. of Delhi, South Campus, Benito Juarez Road, Dhaula ...) ,  GUPTA R.s. (Dep. of Electronics & Communication Engineering, Maharaja Agrasen Inst. of Technol., Sector-22, Rohini, Delhi 110 ...) ,  CHAUJAR Rishu (Dep. of Applied Physics, Delhi Technological Univ., Sector-17, Rohini, Bawana Road, Delhi 110 042, IND) ,  GUPTA Mridula (Semiconductor Devices Res. Lab., Dep. of Electronic Sci., Univ. of Delhi, South Campus, Benito Juarez Road, Dhaula ...)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 52  号： 1  ページ： 151-158  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート材料加工-台形リセス型チャネル(GME-TRC)MOSFETのRF性能を研究した。本文では,そこで得た結果を台形リセス型チャネル(TRC)MOSFETや方形リセス型チャネル(RRC)MOSFETとをデバイスシミュレータ(ATLASおよびDEVEDIT)を用いて比較する。更に,負の接合深さ,ゲート金属仕事関数差,基板ドーピング(N_A)およびコーナ角に関する技術パラメータ変動がGME-TRC MOSFETに及ぼす影響も評価した。このシミュレーション研究により,相互コンダクタンスが増加し,寄生容量が減少することを示す。これは,従来のTRC MOSFETやRRC MOSFETと比べてGME-TRC MOSFETの遮断周波数(f_t)をかなり改善させる。また,GME-TRC MOSFETに対して,短チャネル効果(SCE)の低減および電流駆動性能の増強により,最大有能電力利得(Gma),最大トランスジューサ電力利得(G_MT),最大ユニラテラル電力利得(MUG),最大発振周波数(f_MAX)およびスターン安定指数(k)がかなり増強したことも観測した。更に,このシミュレーションデータを用いて,溝型ゲートMOSFETの実験データも検証し,それらの結果は良く一致した。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： マイクロ波通信 ,  無線伝送 ,  *MOSFET ,  *ゲート【半導体】 ,  仕事関数 ,  基板 ,  ドーピング ,  シミュレーション ,  相互コンダクタンス ,  漂遊容量 ,  *遮断周波数 ,  *短チャネル効果 ,  利得 ,  電流電圧特性 ,  チャネル ,  電子密度 ,  *スケーリング【計数】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： マイクロ波 ,  RF ,  ナノスケール ,  MOSFET ,  Ac ,  解析