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J-GLOBAL ID：201202212561932438   整理番号：12A0956712

超薄酸化物層をもつMOS構造中の荷電状態の特性

Properties of charge states in MOS structure with ultrathin oxide layer

著者 (5件)： JURECKA Stanislav (DEF FEE Zilina Univ., Nalepku 1390, 03101 Liptovsky Mikulas, SVK) ,  KOBAYASHI Hikaru (DSMP ISIR Osaka Univ., Mihogaoka 8-1, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  TAKAHASHI Masao (DSMP ISIR Osaka Univ., Mihogaoka 8-1, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  MATSUMOTO Taketoshi (DSMP ISIR Osaka Univ., Mihogaoka 8-1, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  PINCIK Emil (Inst. of Physics SAS, Dubravska cesta 9, 84511 Bratislava, SVK)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 21  ページ： 8409-8414  発行年： 2012年08月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-酸化物-半導体(MOS)システム中の荷電状態の特性は超薄酸化物層を含むデバイスの品質にとって重要である。ここでは,超薄SiO₂層をもつMOS構造をシリコンの低温硝酸酸化(NAOS)法を使用してSi(100)基板上に作製した。NAOS SiO₂層の特性及びMOS構造中の荷電状態を走査型トンネル顕微鏡及び容量電圧法により調べた。キャリア閉込めにより,超薄酸化物層をもつMOS構造中の荷電状態に顕著な影響を与えるエネルギー及び空間の量子化効果が生じた。Al/NAOS-SiO₂/Si MOS構造中の荷電状態の特性をSchroedinger-Poisson方程式を解いて分析し,その結果を界面状態のあるMOS容量の理論モデルの構築に使用した。理論的容量モデルと実験によるC-Vカーブを比較することにより,界面状態密度を決定した。NAOS酸化物層中の固定電荷の影響は観測されなかった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 酸化 ,  二酸化ケイ素 ,  *超薄膜 ,  *MOS構造 ,  *状態密度 ,  閉込め ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  *容量電圧特性 ,  *量子化 ,  ケイ素 ,  Poisson方程式 ,  Schroedinger方程式 ,  電荷分布
準シソーラス用語： キャリア閉込め ,  *界面状態密度 ,  硝酸酸化

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化物層 ,  MOS構造 ,  荷電状態