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J-GLOBAL ID：201202212667459014   整理番号：12A1763461

高k誘電体を用いる高性能有機トランジスタ:2,9-ジデシル-ジナフト[2,3-b:2′,3′-f]チエノ[3,2-b]チオフェンの溶液処理単結晶と真空蒸着多結晶膜について比較研究

High-performance organic transistors with high-k dielectrics: A comparative study on solution-processed single crystals and vacuum-deposited polycrystalline films of 2,9-didecyl-dinaphtho[2,3-b:2′,3′-f]thieno[3,2-b]thiophene

著者 (12件)： OU-YANG W. (The Inst. of Scientific and Industrial Res. (ISIR), Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  UEMURA T. (The Inst. of Scientific and Industrial Res. (ISIR), Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  MIYAKE K. (The Inst. of Scientific and Industrial Res. (ISIR), Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  ONISH S. (Res. Laboratories, DENSO CORPORATION, 500-1 Minamiyama Komenoki-cho, Nisshin, Aichi 470-0111, JPN) ,  KATO T. (Res. Laboratories, DENSO CORPORATION, 500-1 Minamiyama Komenoki-cho, Nisshin, Aichi 470-0111, JPN) ,  KATAYAMA M. (Res. Laboratories, DENSO CORPORATION, 500-1 Minamiyama Komenoki-cho, Nisshin, Aichi 470-0111, JPN) ,  KANG M. (Dep. of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Hiroshima Univ., 1-4-1 Kagamiyama, Hiroshima 739-8527, JPN) ,  TAKIMIYA K. (Dep. of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Hiroshima Univ., 1-4-1 Kagamiyama, Hiroshima 739-8527, JPN) ,  IKEDA M. (R&D Planning Div., Res. & Dev. Group, Nippon Kayaku Co. Ltd., Kita-ku, Tokyo 115-8588, JPN) ,  KUWABARA H. (R&D Planning Div., Res. & Dev. Group, Nippon Kayaku Co. Ltd., Kita-ku, Tokyo 115-8588, JPN) ,  HAMADA M. (R&D Planning Div., Res. & Dev. Group, Nippon Kayaku Co. Ltd., Kita-ku, Tokyo 115-8588, JPN) ,  TAKEYA J. (The Inst. of Scientific and Industrial Res. (ISIR), Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 22  ページ： 223304-223304-5  発行年： 2012年11月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高k誘電体を用いて高いキャリア移動度の有機電界効果トランジスタを開発し,それで今までにない高いトランスコンダクタンスを実現する。2,9-ジデシル-ジナフト[2,3-b:2′,3′-f]チエノ[3,2-b]チオフェン(C¹⁰-DNTT)溶液結晶化膜を,シラン組織化単層と原子層蒸着により形成した高kAl₂O₃のハイプリッドゲート絶縁体上に被覆する。誘電体分極への電場誘起キャリアの抑制されたカップリングのため,結晶性C¹⁰-DNTTにおいて10cm²/Vsを超える固有の高いキャリア移動度が高kゲート絶縁体についても保持される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *誘電体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度 ,  *相互コンダクタンス ,  シラン ,  単一層 ,  化学蒸着 ,  *絶縁材料 ,  酸化アルミニウム ,  *絶縁体
準シソーラス用語： トランスコンダクタンス ,  *ハイプリッドゲート絶縁体 ,  原子層蒸着 ,  *高k誘電体 ,  単層 ,  *有機トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： 10,22-ビスデシル-5,17-ジチアヘキサシクロ[18.4.0.0^3,18.0^4,16.0^6,15.0^8,13]テトラコサン-1,3(18),4(16),6,8(13),9,11,14,19,21,23-ウンデカエン

タイトルに関連する用語 (8件)： 高k誘電体 ,  有機トランジスタ ,  チオフェン ,  溶液処理 ,  単結晶 ,  真空蒸着 ,  多結晶 ,  研究