4H-ならびに6H-SiC上で作られたpチャンネルMOSFETの電気的性質

文献

J-GLOBAL ID：201202213513457589 整理番号：12A0369684

Electrical Properties of p-channel MOSFETs Fabricated on 4H- and 6H-SiC

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資料名：
巻： 556/557 ページ： 783-786 発行年： 2007年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

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