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J-GLOBAL ID：201202213522735230   整理番号：12A1711936

イオン衝撃のエネルギーを増大させることによる(100)Ge上でのスポンジからドットアレイへ

From sponge to dot arrays on (100) Ge by increasing the energy of ion impacts

著者 (5件)： BOETTGER Roman (Inst. of Ion Beam Physics and Materials Res., Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, P.O. Box 510119, 01328 Dresden, DEU) ,  BISCHOFF Lothar (Inst. of Ion Beam Physics and Materials Res., Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, P.O. Box 510119, 01328 Dresden, DEU) ,  HEINIG Karl-heinz (Inst. of Ion Beam Physics and Materials Res., Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, P.O. Box 510119, 01328 Dresden, DEU) ,  PILZ Wolfgang (Inst. of Ion Beam Physics and Materials Res., Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, P.O. Box 510119, 01328 Dresden, DEU) ,  SCHMIDT Bernd (Inst. of Ion Beam Physics and Materials Res., Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, P.O. Box 510119, 01328 Dresden, DEU)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 6  ページ： 06FF12-06FF12-5  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 780Kまでの温度のGe表面を,10から30keVまでの運動エネルギーをもつ10¹⁷Bi⁺イオンcm^-2までの垂直入射において照射した。得られた表面形態を,走査電子顕微鏡により研究した。室温において,高エネルギーBi⁺の衝撃は,多孔性ネットワークを生じ,他方,高温照射では,六方晶規則化ドットアレイが形成された。しかし,更なる温度上昇の後には,表面は滑らかになった。総括的な実験研究を,イオンエネルギー対基板温度面における表面形態の相図に要約した。この相図において,基板温度上昇によるドット形成の開始は,イオン衝撃の衝突カスケード体積のナノメルティングにより矛盾なくモデル化された。その際,構築したシミュレーションプログラムにより予測されたように,カスケード体積に堆積されたエネルギー密度のみならず,非晶質Geの熱力学的パラメータ(メルト温度,融解熱,及び熱容量)を考慮した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *表面構造 ,  *ビスマス ,  温度依存性 ,  多孔性 ,  六方晶系 ,  平滑度 ,  状態図 ,  シミュレーション ,  エネルギー密度 ,  熱力学的性質 ,  半導体 ,  *集束イオンビーム ,  *イオン照射 ,  パターン形成
準シソーラス用語： ドットアレイ

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン衝撃 ,  エネルギー ,  Ge ,  スポンジ ,  ドットアレイ