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J-GLOBAL ID：201202213722318138   整理番号：12A1371205

誘電体エッチングのためのフルオロカーボンプラズマ中におけるTiとTiNの間の腐食メカニズム及び選択性の違い

Differences in erosion mechanism and selectivity between Ti and TiN in fluorocarbon plasmas for dielectric etch

著者 (7件)： WEILNBOECK Florian (Dep. of Materials Sci. and Engineering, and Inst. for Res. in Electronics and Applied Physics, Univ. of Maryland ...) ,  BARTIS Elliot (Dep. of Materials Sci. and Engineering, and Inst. for Res. in Electronics and Applied Physics, Univ. of Maryland ...) ,  SHACHAR Sivan (Dep. of Materials Sci. and Engineering, and Inst. for Res. in Electronics and Applied Physics, Univ. of Maryland ...) ,  OEHRLEIN Gottlieb S. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, and Inst. for Res. in Electronics and Applied Physics, Univ. of Maryland ...) ,  FARBER David (Texas Instruments, Dallas, Texas 75243) ,  LII Tom (Texas Instruments, Dallas, Texas 75243) ,  LENOX Chet (Texas Instruments, Dallas, Texas 75243)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 4  ページ： 041811-041811-10  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属マスク材料は集積回路作製のための低k材料へのプラズマに基づくパターン転写のための有力な候補である。低k材料とハードマスク材料の間のエッチング選択性(ES)の改善にはフルオロカーボン(FC)プラズマ中の材料腐食の基礎的理解が必要である。著者らは以前にFC放電のときのTiエッチングの腐食メカニズム及びプラズマパラメータ依存性について報告した。ここでは,TiとTiNハードマスクの間の腐食の違いを明らかにすることに焦点をあてた。CF₄/Ar及びC₄F₈/Arプラズマ中のTi,TiN,及び参照用低k材料である有機シリケートガラス(OSG)の腐食を調べた。表面組成,FC表面反応層の厚さ,腐食率,及び対応するESの変化をX線光電子分光及びその場エリプソメトリにより明らかにした。腐食状態及びプラズマパラメータ依存表面組成はTi及びTiNに対して似たようなものであった。以前に明らかにしたFC層の厚さ及びイオンによるハードマスク表面へのエネルギー付与に対するTi腐食率の依存性は一般的に同じようなものであった。しかし,TiNのエッチング率(体積除去率)及びエッチング収率(原子除去率)はTiと比較して因子1~1.4だけ増加した。この違いは,Tiハードマスクの値以上にTi原子数密度を増加させることになるTiN表面からのNの急速な除去により説明できた。表面反応度の増大はTiと比較して大きい腐食率とよく一致した。腐食率の違いはESに直接影響し,OSGに相対的な最大のES(15まで)が低イオンエネルギーのCF₄/Arプラズマ中のTiハードマスクに対して得られた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *マスク ,  チタン ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  *プラズマエッチング ,  誘電体 ,  X線光電子スペクトル ,  偏光解析法 ,  プラズマパラメータ ,  選択性 ,  フロン ,  脂肪族フッ素化合物
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  *低k誘電体 ,  有機ケイ酸塩ガラス

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

物質索引 (2件)： テトラフルオロメタン ,  オクタフルオロシクロブタン

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘電体 ,  エッチング ,  Ti ,  TiN ,  腐食メカニズム