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J-GLOBAL ID：201202213937457937   整理番号：12A0809074

SiN単軸ひずみnチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのチャネルフッ素打込みによるストレスイミュニティ増強

Stress immunity enhancement of the SiN uniaxial strained n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor by channel fluorine implantation

著者 (3件)： CHEN Yung-yu (Dep. of Electronic Engineering, Lunghwa Univ. of Sci. and Technol., Guishan, Taoyuan 333, Taiwan) ,  HSIEH Chih-ren (Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  CHIU Fang-yu (Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 52  号： 6  ページ： 995-998  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO₂/SiONゲート誘電体を含むnチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの電気特性およびストレス信頼性を研究するため,チャネルフッ素打込み(CFI)を窒化けい素コンタクトエッチストップ層(SiN CESL)と一体化することに成功した。フッ素組込みはデバイス特性を改善するために広く使用されているが,CFIプロセスを組合わせたSiN CESLのほぼ同じな相互コンダクタンス,閾値以下スウィングおよびドレイン電流はフッ素組込みの影響を受けないことが明確に示されている。その一方で,フッ素を組込んだSiN CESLひずみnMOSFETは強いSi-F/Hf-Fボンド形成によりストレス信頼性が優れていることを示している。閾値電圧シフトを誘起するチャネルホット電子ストレスおよび定電圧ストレスをそれぞれ26%および15%抑圧できる。この結果により,CFIプロセスを用いたフッ素化ゲート誘電体とSiN CESLひずみnMOSFETとの結合は更なるストレスイミュニティ増強に適する技術になることを実証する。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  *一軸性結晶 ,  N型半導体 ,  *MOSFET ,  *フッ素 ,  *イオン注入 ,  絶縁膜 ,  ゲート【半導体】 ,  酸化膜 ,  酸化ハフニウム ,  ケイ素化合物 ,  酸化物 ,  窒化物 ,  *信頼性 ,  X線光電子分光法 ,  電圧 ,  電流電圧特性 ,  キャリア移動度 ,  *引張変形 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： SiON ,  閾値電圧 ,  電子移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (12件)： SiN ,  単軸 ,  ひずみ ,  Nチャネル ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  チャネル ,  フッ素 ,  打込み ,  ストレス ,  イミュニティ ,  増強