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J-GLOBAL ID：201202214015855689   整理番号：12A0589462

プラズマダメージ低減ECR-MBE法で作製したSi基板上InN薄膜の成長条件が及ぼす長波長域PL発光特性への影響 II

著者 (2件)： 淀徳男 (大阪工大 工) ,  原田義之 (大阪工大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.17A-B10-5  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  薄膜成長 ,  *MBE成長 ,  ECRプラズマ ,  バッファ層 ,  *光ルミネセンス ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  放射強度
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  *プラズマ損傷 ,  流量比 ,  *プラズマMBE

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (10件)： プラズマダメージ ,  MBE ,  作製 ,  Si基板 ,  InN ,  薄膜 ,  成長条件 ,  波長域 ,  PL ,  発光特性