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J-GLOBAL ID：201202214142272439   整理番号：12A0580780

サブナノメーターEOT nMOS FinFETの時間依存絶縁破壊

Time-Dependent Dielectric Breakdown on Subnanometer EOT nMOS FinFETs

著者 (6件)： FEIJOO Pedro C. ,  KAUERAUF Thomas (IMEC, Leuven, BEL) ,  TOLEDANO-LUQUE Maria ,  TOGO Mitsuhiro (IMEC, Leuven, BEL) ,  SAN ANDRES Enrique (Universidad Complutense de Madrid, Madrid, ESP) ,  GROESENEKEN Guido (IMEC, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 12  号： 1  ページ： 166-170  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,サブ1nm等価酸化膜厚さ(EOT)n形バルクFinFETにおける時間依存絶縁破壊(TDDB)を研究した。ゲート積層はIMECクリーン界面層,すなわち,高k原子層堆積HfO₂,及び,TiN金属電極から構成される。0.8nm EOT FinFETに関しては,TDDB寿命は10^-8cm²程度の面積のプレーナデバイスの結果と一致した。このことはFinFETアーキテクチャは新しい故障機構を導入することはなかったと考えられる。しかしながら,より小さい面積のデバイスに関しては,ソフトブレークダウン(SBD)の10年寿命での外挿電圧は仕様に適合していなかった。その結果,SBDパス疲労を最終外挿に含ませる必要が出てきた。さらに,0.8nmより小さいEOTに関しては,n形FinFETのTDDBにおいて漏れ電流が大きいという問題があった。

シソーラス用語： *MOSFET ,  フィン ,  FET【トランジスタ】 ,  膜厚 ,  *絶縁破壊 ,  時間依存性 ,  信頼性 ,  酸化ハフニウム ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  素子構造 ,  透過型電子顕微鏡 ,  漏れ電流 ,  統計的推定 ,  *寿命試験
準シソーラス用語： EOT ,  FinFET

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： サブ ,  ナノメーター ,  EOT ,  NMOS ,  FinFET ,  時間依存 ,  絶縁破壊