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J-GLOBAL ID：201202215030941040   整理番号：12A1306389

GdドープGaNにおける強い原子秩序

Strong atomic ordering in Gd-doped GaN

著者 (6件)： ISHIMARU Manabu (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  HIGASHI Kotaro (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  HASEGAWA Shigehiko (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  ASAHI Hajime (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  SATO Kazuhisa (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8577, JPN) ,  KONNO Toyohiko J. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8577, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 10  ページ： 101912-101912-4  発行年： 2012年09月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GdドープGaN(Ga_1-xGd_xN)薄膜をGaN(001)テンプレート上にラジオ周波数プラズマ支援分子ビームエピタキシーによって成長させ,X線回折(XRD)と透過電子顕微鏡(TEM)によって特性を評価した。本研究では,xが0.02,0.05,および0.08のGd組成の異なる三つのサンプルを調製した。XRDとTEMの結果から,Gd濃度の低いGaNはウルツ鉱型構造を有していることが明らかになった。一方,ウルツ鉱型構造の[001]方向に沿う四重周期の秩序相はx=0.08の膜で形成されていることが分かった。観測された超格子構造に対して原子論モデルを提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  ドーピング ,  ガドリニウム ,  化合物半導体 ,  磁性半導体 ,  磁性薄膜 ,  半導体薄膜 ,  *ウルツ鉱型結晶 ,  超格子 ,  規則相 ,  化学組成 ,  ガドリニウム化合物 ,  プラズマ ,  *MBE成長 ,  RFプラズマ ,  *プラズマMBE ,  希薄磁性半導体
準シソーラス用語： *プラズマ支援MBE成長 ,  希釈磁性半導体

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： Gd ,  ドープ ,  GaN ,  原子