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J-GLOBAL ID：201202216611057512   整理番号：12A0495377

n+ In_0.53Ga_0.47Asの接触抵抗低減のためのGe/Ni-InGaAs固相反応

Ge/Ni-InGaAs Solid-State Reaction for Contact Resistance Reduction on n⁺ In_0.53Ga_0.47As

著者 (4件)： GUO Hua Xin (National Univ. Singapore, Singapore) ,  KONG Eugene Yu Jin (National Univ. Singapore, Singapore) ,  ZHANG Xingui (National Univ. Singapore, Singapore) ,  YEO Yee-Chia (National Univ. Singapore, Singapore)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 2,Issue 2  ページ： 02BF06.1-02BF06.5  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n+ In_0.53Ga_0.47As上でGeとNi-InGaAsの間の固相反応と,InGaAsのNi-に基づく接触の接触抵抗に関する効果を研究した。この反応を N₂環境中の400~600°Cの範囲の温度でNi-InGaAs上のGeの等時性アニールによって実行した。Geリッチな再成長InGaAs層が金属接触の下に形成することが分かった。Ni-InGaAs接触と比較して,600°Cのアニールの後にSi-注入n-In_0.53Ga_0.47Asの接触抵抗の60%以上の低減を,達成した。この接触構造は,二次イオン質量分析,高解像度透過電子顕微鏡,X線回折と走査電子顕微鏡によって評価した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *接触抵抗 ,  ニッケル ,  固相反応 ,  窒素 ,  焼なまし ,  ケイ素 ,  注入 ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線回折

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (46件)：

• 1) T. Skotnicki, J. A. Hutchby, T.-J. King, H.-S. P. Wong, and F. Boeuf: IEEE Circuits Devices Mag. 21 [1] (2005) 16.
• 2) R. Chau, S. Datta, M. Doczy, B. Doyle, B. Jin, J. Kavalieros, A. Majumdar, M. Metz, and M. Radosavljevic: IEEE Trans. Nanotechnol. 4 (2005) 153.
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• 4) R. J. W. Hill, D. A. J. Moran, X. Li, H. Zhou, D. Macintyre, S. Thorns, A. Asenov, P. Zurcher, K. Rajagopalan, J. Abrokwah, R. Droopad, M. Passlack, and I. G. Thayne: IEEE Electron Device Lett. 28 (2007) 1080.
• 5) S. Datta, G. Dewey, J. M. Fastenau, M. K. Hudait, D. Loubychev, W. K. Liu, M. Radosavljevic, W. Rachmady, and R. Chau: IEEE Electron Device Lett. 28 (2007) 685.

タイトルに関連する用語 (5件)： 接触抵抗 ,  Ge ,  Ni ,  InGaAs ,  固相反応