文献

J-GLOBAL ID：201202216772542100   整理番号：12A0416640

溶液成長を伴う3C-SiC上の6H-SiCポリタイプ変形により誘発されたヘテロ界面付近の積層欠陥

Stacking Faults around the hetero-interface Induced by 6H-SiC Polytype Transformation on 3C-SiC with Solution Growth

著者 (7件)： SEKI Kazuaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MORIMOTO Kai (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  UJIHARA Toru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TOKUNAGA Tomoharu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SASAKI Katsuhiro (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KURODA Kotaro (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEDA Yoshikazu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 645/648  号： Pt.1  ページ： 363-366  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： 溶液成長 ,  3C-SiC ,  6H-SiC ,  ポリタイプ ,  誘発 ,  ヘテロ界面 ,  積層欠陥