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J-GLOBAL ID：201202217804927898   整理番号：12A0773344

シリコン基板上の低損失ミリ波受動素子

Low-loss Millimeter-wave Passive Devices on Si Sbstrate

著者 (7件)： AMAKAWA Shuhei (Hiroshima Univ., JPN) ,  OKADA Kenichi (Tokyo Inst. Technol., JPN) ,  ISHIHARA Noboru (Tokyo Inst. Technol., JPN) ,  MASU Kazuya (Tokyo Inst. Technol., JPN) ,  UEMICHI Yusuke (Fujikura Ltd.) ,  AIZAWA Takuya (Fujikura Ltd.) ,  SUEMASU Tatsuo (Fujikura Ltd.)
資料名： Fujikura Technical Review  (Fujikura Technical Review)
号： 41  ページ： 32-34  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： X0696A  ISSN： 0388-225X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 数Gbpsを越えるミリ波帯動作の高速で大量のデータ通信がCMOS技術を利用して可能になりつつあるため,今日ではミリ波帯で動作する低損失配線板が重要性を増している。著者らは,シリコン上での銅配線技術を用いてミリ波配線板上に集積化する受動素子としてミリ波伝送線路および帯域フィルタを設計し,作製した。この伝送線路においては0.2dB/mmという低い減衰定数αを得ると共に,帯域フィルタでは7.0%の1dB帯域幅と共に4.67dBの挿入損を実現した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  基板 ,  *EHF波 ,  *データ通信 ,  *CMOS構造 ,  銅 ,  プリント配線 ,  *マイクロストリップ線路 ,  帯域フィルタ ,  フィルタ設計 ,  減衰定数 ,  帯域幅 ,  挿入損 ,  特性インピーダンス ,  周波数依存性 ,  S行列 ,  *LSI【IC】

分類 (2件)： 伝送回路素子一般  (NC04010G) ,  マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W)

引用文献 (6件)：

• 1)I.C.H. Lai and M.Fujishima : "High-Q Slow-Wave Transmis-sion Line for Chip Area Reduction on Advanced CMOS Pro-cesses," IEEE ICMTS, pp.192-l95, Mar. 2007
• 2)J.-X.Liu, C.-Y.Hsu, H.-R.Chuang and C.-Y. Chen : "A 60 GHz Millimeter-wave CMOS Marchand Balun," IEEE RFIC-S, pp. 445-448, 2007
• 3)J.Brinkhoff and F. Lin : "Integrated Filters for 60 GHz Sys-tems on CMOS," RFIT, pp. 154-157, Dec. 2007
• 4)S.Sun, J. Shi, L.Zhu, S.C.Rustagi and K.Mouthaan : "Millime-ter-Wave Bandpass Filters by Standard 0.18-μm CMOS Tech-nology," IEEE Electron Device Lett., Vol.28, No.3, pp. 220-222, Mar. 2007
• 5)L.Nan, K.Mouthaan, Y.-Z. Xiong, J.Shi, S.C.Rustagi and B.-L. Ooi : "Design of 60-and 77-GHz Narrow-Bandpass Filters in CMOS Technology," IEEE Trans. Circuits and Systems, Vol.55, No.8, pp.738-742, Aug. 2008

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン基板 ,  低損失 ,  ミリ波 ,  受動素子