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J-GLOBAL ID：201202217907505851   整理番号：12A0555105

先進的GaAsベースCMOSデバイスのためのOhm金属接触の最適化

Optimization of Ohmic metal contacts for advanced GaAs-based CMOS device

著者 (8件)： CHANG W. H. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  CHIANG T. H. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  LIN T. D. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  CHEN Y. H. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  WU K. H. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  HUANG T. S. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  HONG M. (Dep. of Physics and Graduate Inst. of Applied Physics, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  KWO J. (Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan and Dep. of Physics, National ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 2  ページ： 02B123-02B123-4  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシー成長非ドープn-GaAs及びIn_0.2Ga_0.8As/GaAs(~2×10¹⁸cm^-3)への非金Pd/Ge/Ti/PtのOhm接触抵抗をPd/Ge厚さと高速熱アニーリング(RTA)温度/期間を変えて研究した。Pd/Geが30nm/30nmで300°Cで10秒間のRTAを用いた試料で最適化されたOhm接触が得られた。n-In_0.2Ga_0.8Asについて5.4×10^-7Ωcm²という低いOhm接触抵抗率が達成された。接触抵抗低減の機構をエネルギー分散X線分光深さ分布を用いて研究した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  CMOS構造 ,  *MBE成長 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *Ohm接触 ,  *接触抵抗 ,  パラジウム ,  ゲルマニウム ,  チタン ,  白金 ,  RTA【熱処理】 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  深さ分布 ,  多層膜 ,  金属薄膜 ,  *半導体金属接合

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  CMOS ,  最適化