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J-GLOBAL ID：201202218250537983   整理番号：12A1466415

中性子誘導単一事象過渡電流のスケーリング効果および回路種類依存性

Scaling Effect and Circuit Type Dependence of Neutron induced Single Event Transient

著者 (12件)： NAKAMURA Hideyuki (Renesas Electronics Corp., JPN) ,  NAKAMURA Hideyuki (MIRAI-Selete, Sagamihara, JPN) ,  UEMURA Taiki (Fujitsu Semiconductor Ltd., JPN) ,  UEMURA Taiki (MIRAI-Selete, Sagamihara, JPN) ,  TAKEUCHI Kan (Renesas Electronics Corp., JPN) ,  TAKEUCHI Kan (MIRAI-Selete, Sagamihara, JPN) ,  FUKUDA Toshikazu (Toshiba Corp., JPN) ,  FUKUDA Toshikazu (MIRAI-Selete, Sagamihara, JPN) ,  KUMASHIRO Shigetaka (Renesas Electronics Corp., JPN) ,  KUMASHIRO Shigetaka (MIRAI-Selete, Sagamihara, JPN) ,  MOGAMI Tohru (NEC Corp., JPN) ,  MOGAMI Tohru (MIRAI-Selete, Sagamihara, JPN)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2012 Vol.1  ページ： 245-251  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中性子誘導単一事象過渡電流(SET)は,論理出力数,駆動強度,ドレイン拡散面積の寸法,温度,および40nmと90nmバルクCMOS技術上のVDDが変化するNANDおよびインバータ(INV)チェーン上で測定された。40nmおよび90nmの両方で観察されたSETのパルス幅は,20段であるSETターゲットチェーンにより,150psより小さくなる。また,高密度井戸タップは寄生バイポーラ効果を抑制し,さらに,別の研究に比べてパルス幅を小さくすることもある。

シソーラス用語： 中性子 ,  電流 ,  効果 ,  依存性 ,  ソフトエラー ,  *論理回路
準シソーラス用語： 過渡電流 ,  スケーリング効果 ,  単一事象過渡電流

分類 (1件)： 論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 中性子 ,  誘導 ,  単一事象 ,  過渡電流 ,  スケーリング ,  依存性