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J-GLOBAL ID：201202218375815217   整理番号：12A0539896

グラフェン系デバイスのための低接触抵抗の金属

Low contact resistance metals for graphene based devices

著者 (4件)： WATANABE Eiichiro ,  CONWILL Arolyn ,  TSUYA Daiju ,  KOIDE Yasuo
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 24  ページ： 171-174  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一金属元素析出によるグラフェンへの低抵抗オーミック接触を作製するための指針を検討するため,グラフェンチャネルに接触する種々の金属(Ti,Ag,Co,Cr,Fe,Ni及びPd)について接触抵抗(R_c)を伝送線路法(TLM)により測定した。正確なR_c値を得るため,明確な長方形グラフェンチャネルと均一な界面面積とチャネル幅を持つTLMパターンを作製した。Ti接触では700±500ΩμmのR_c値が得られ,以前に報告された値よりも小さかった。更に,R_cは金属の仕事関数と強く関連せず,金属の微細構造に大きく影響されることを明らかにした。金属膜の化学的クリーニングと微細構造制御が金属とグラフェンとの直接接触を得るための低抵抗オーミック接触を作製するために重要であった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭素材 ,  *接触抵抗 ,  *Ohm接触 ,  *伝送線路 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *金属 ,  微細構造 ,  基板 ,  酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  グラファイト ,  電子ビームリソグラフィー ,  RIE【エッチング】 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 反応性イオンエッチング

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： グラフェン ,  接触抵抗