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J-GLOBAL ID：201202218527792765   整理番号：12A1311494

準安定脱励起分光法により調べた空気及び真空中で加熱したときのMgO及びCaO膜のイオン化ポテンシャルの変化

Changes in ionization potentials of MgO and CaO films upon heating in air and vacuum investigated by metastable de-excitation spectroscopy

著者 (19件)： YOSHINO K. (Dep. of Material and Life Sci., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  YOSHINO K. (3rd Device Dev. Group, AVC Devices Dev. Center, AVC Networks Co., Panasonic Corp., Ibaraki, Osaka 567-0026, JPN) ,  YOSHINO K. (Co-operation Lab. of Panasonic, Osaka Univ., Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  MORITA Y. (3rd Device Dev. Group, AVC Devices Dev. Center, AVC Networks Co., Panasonic Corp., Ibaraki, Osaka 567-0026, JPN) ,  MORITA Y. (Co-operation Lab. of Panasonic, Osaka Univ., Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  NAGATOMI T. (Dep. of Material and Life Sci., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  NAGATOMI T. (Co-operation Lab. of Panasonic, Osaka Univ., Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  TERAUCHI M. (3rd Device Dev. Group, AVC Devices Dev. Center, AVC Networks Co., Panasonic Corp., Ibaraki, Osaka 567-0026, JPN) ,  TERAUCHI M. (Co-operation Lab. of Panasonic, Osaka Univ., Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  TSUJITA T. (3rd Device Dev. Group, AVC Devices Dev. Center, AVC Networks Co., Panasonic Corp., Ibaraki, Osaka 567-0026, JPN) ,  TSUJITA T. (Co-operation Lab. of Panasonic, Osaka Univ., Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  DOI Y. (3rd Device Dev. Group, AVC Devices Dev. Center, AVC Networks Co., Panasonic Corp., Ibaraki, Osaka 567-0026, JPN) ,  NAKAYAMA T. (3rd Device Dev. Group, AVC Devices Dev. Center, AVC Networks Co., Panasonic Corp., Ibaraki, Osaka 567-0026, JPN) ,  YAMAUCHI Y. (Advanced Display Technol. Group, Image Devices Dev. Center, Panasonic Corp., Moriguchi, Osaka 570-8501, JPN) ,  NISHITANI M. (Co-operation Lab. of Panasonic, Osaka Univ., Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  NISHITANI M. (Advanced Display Technol. Group, Image Devices Dev. Center, Panasonic Corp., Moriguchi, Osaka 570-8501, JPN) ,  KITAGAWA M. (3rd Device Dev. Group, AVC Devices Dev. Center, AVC Networks Co., Panasonic Corp., Ibaraki, Osaka 567-0026, JPN) ,  YAMAUCHI Y. (Atomic Beam Group, Quantum Beam Center, National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  TAKAI Y. (Dep. of Material and Life Sci., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., Suita, Osaka 565-0871, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 259  ページ： 135-141  発行年： 2012年10月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマディスプレイパネルの製造で必要な工程である空気及び真空中で加熱したときのMgO及びCaO膜表面のイオン化ポテンシャルの変化を準安定脱励起分光により調べた。真空中での500°C,1分間の加熱が前もって空気中で加熱されたMgO膜表面のクリーニングに効果的で,クリーンなMgO膜表面のイオン化ポテンシャルを空気中で加熱したときに増加した値から回復させた。類似の処理はCaO表面に対しては効果的ではなかった。この違いはMgOにおけるよりもCaO上のH₂O及びCO₂のより強い結合状態に帰せられる。これは,CaOがプラズマディスプレイパネルの保護層として実際に使用されてこなかった事実と符合する。さらに,準安定脱励起分光法により決定されたイオン化ポテンシャルからMgO及びCaOに対して予測されるプラズマのファイアリング電圧はテストパネルに対して得られるファイアリング電圧の測定値と定性的に一致することが分かった。ここに示した結果は,準安定脱励起分光法はプラズマディスプレイパネルに使用される保護層を評価するのに有効であることを確認した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化マグネシウム ,  *酸化カルシウム ,  誘電体薄膜 ,  *イオン化ポテンシャル ,  *プラズマディスプレイ ,  *保護膜 ,  *スペクトロスコピー
準シソーラス用語： *準安定脱励起分光法

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 脱励起 ,  分光法 ,  真空 ,  MgO ,  CaO ,  イオン化ポテンシャル