ポリスチレン-ポリ(ジメチルシロキサン)の自己組織化を用いる5nmサイズ・ナノドットの作製

HUDA Miftakhul; LIU Jing; YIN You; HOSAKA Sumio

文献

J-GLOBAL ID：201202219034776414 整理番号：12A0960592

ポリスチレン-ポリ(ジメチルシロキサン)の自己組織化を用いる5nmサイズ・ナノドットの作製

Fabrication of 5-nm-Sized Nanodots Using Self-Assembly of Polystyrene-Poly(dimethylsiloxane)

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資料名：
巻： 51 号： 6,Issue 2 ページ： 06FF10.1-06FF10.5 発行年： 2012年06月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本研究では,著者は,数nmサイズのナノドットを形成するエネルギーを持っている7,000-1,500の分子量のポリスチレン-ポリ(ジメチルシロキサン)(PS-PDMS)ブロック共重合体の自己組織化の進展について研究した。アニーリング時間と温度に着目して集中して調査した。6nmのサイズと13nmのピッチを有する別個のナノドットを130°Cの低アニーリング温度で得た,そして,170°Cのアニーリング温度で5nmのサイズと12nmのピッチを有するナノドットを得た。アニーリング時間を6時間と同じくらい短くすると,ナノドットが形成されたのが見出された。このテクニックは,最大5.17Tbit/in.²の密度で磁気記録メディアの可能な高スループットと安価の製作を含意する。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (31件)：

1) K. Aissou, M. Kogelschatz, T. Baron, and P. Gentile: Surf. Sci. 601 (2007) 2611.
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