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J-GLOBAL ID：201202219582851513   整理番号：12A0723208

(111)配向BaTiO₃-Bi(Mg_0.5Ti_0.5)O₃エピタキシャル膜の成長とその結晶構造および電気的性質のキャラクタリゼーション

Growth of (111)-oriented BaTiO₃-Bi(Mg_0.5Ti_0.5)O₃ epitaxial films and their crystal structure and electrical property characterizations

著者 (14件)： TANAKA Hidenori (Dep. of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN) ,  CHENTIR Mohamed-tahar (Dep. of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN) ,  YAMADA Tomoaki (Dep. of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN) ,  YASUI Shintaro (Dep. of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN) ,  EHARA Yoshitaka (Dep. of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN) ,  YAMATO Keisuke (Interdisciplinary Graduate School of Medical and Engineering, Univ. of Yamanashi, 4-4-37 Takeda, Kofu 400-8510, JPN) ,  KASHIWAGI Yuta (Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., Kagurazaka Shinjyukuku 1-3, JPN) ,  NGEAH THENG Chua (Dep. of Advanced Nano-Structured Functional Material, Nangyang Technological Univ., Nanyang Avenue, 639798 Singapore) ,  WANG Junling (Dep. of Advanced Nano-Structured Functional Material, Nangyang Technological Univ., Nanyang Avenue, 639798 Singapore) ,  OKAMURA Soichiro (Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., Kagurazaka Shinjyukuku 1-3, JPN) ,  UCHIDA Hiroshi (Dep. of Materials and Life Sciences, Sophia Univ., Chiyoda, Tokyo 102-8554, JPN) ,  IIJIMA Takashi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tukuba 1-1-1, JPN) ,  WADA Satoshi (Interdisciplinary Graduate School of Medical and Engineering, Univ. of Yamanashi, 4-4-37 Takeda, Kofu 400-8510, JPN) ,  FUNAKUBO Hiroshi (Dep. of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 8  ページ： 084108-084108-5  発行年： 2012年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャル(1-x)BaTiO₃-xBi(Mg_0.5Ti_0.5)O₃膜(x=0~0.9)を(111)cSrRuO₃∥(111)SrTiO₃基板上でパルスレーザ蒸着で成長させた。Bi(Mg_0.5Ti_0.5)O₃含有量に対して誘電率がピークを示す温度{T[ε_r(max.)]}を図示すると,x=0.1に最少があった。他方,残留分極と実効横方向圧電係数[d₃₃(eff.)]はそれぞれ0.1と0.2で極小となったが,(1-x)BaTiO₃-xBi(Mg_0.5Ti_0.5)O₃においてxの増加と共にこの値以上に増した。この結果は,通常トレードオフ関係に立つT[ε_r(max.)]と[d₃₃(eff.)]がx=0.2以上では同時に増加することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *チタン酸バリウム ,  ストロンチウム化合物 ,  ルテニウム化合物 ,  酸素酸塩 ,  チタン酸ストロンチウム ,  *誘電率 ,  *残留分極 ,  係数 ,  *結晶構造 ,  電気的性質 ,  *マグネシウム化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  *チタン酸塩 ,  レーザ蒸着 ,  エピタクシー ,  基板 ,  *圧電気 ,  含有量 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： ルテニウム酸ストロンチウム ,  *圧電係数

分類 (3件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (9件)： 配向 ,  BaTiO3 ,  Bi ,  O3 ,  エピタキシャル膜 ,  成長 ,  結晶構造 ,  電気的性質 ,  キャラクタリゼーション