伸縮可能な薄膜トランジスタにおけるSiO<sub>2</sub>ブリッジの数値設計

KIM Byung-Jae; PARK Kyung-Yea; AHN Jong-Hyun; KIM Youn-Jea

文献

J-GLOBAL ID：201202220393202910 整理番号：12A0248686

伸縮可能な薄膜トランジスタにおけるSiO₂ブリッジの数値設計

Numerical Design of SiO₂2 Bridges in Stretchable Thin Film Transistors

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著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 51 号： 1,Issue 2 ページ： 01AG10.1-01AG10.3 発行年： 2012年01月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

非晶質酸化インジウムガリウム亜鉛ベースインバータ(a-IGZOインバータ)を作製した。次に,その機械的特性を研究した。数値的方法を採用して,a-IGZOインバータ設計を最適化した。この最適化は機械的安定性を保証した。SiO₂パッドの端部における曲率及び酸化インジウムスズ(ITO)電極の厚さをモデルに考慮した。新しいモデルは,x軸に沿ってその長さの全5%だけ引き伸ばしたとき,機械的安定性を改善し,破壊あるいは亀裂を示さなかった。対照的に,参照モデルは同一条件下おいて破壊した。新しく設計したモデルが機械的安定性を得ることを,実験及びシミュレーションにより証明した。(翻訳著者抄録)

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電力変換器 , トランジスタ , 半導体薄膜 , 酸化物薄膜 , 固体の機械的性質一般

引用文献 (15件)：

1) K. Nomura, H. Ohta, A Takagi, M. Hirano, and H. Hosono: Nature 432 (2004) 488.
2) H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 112123.
3) K. H. Cherenack, N. S. Munzenrieder, and G. Troster: IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 1254.
4) K. Y. Park, D. K. Lee, B. S. Kim, H. Jeon, N. E. Lee, D. Whang, H. J. Lee, Y. J. Kim, and J. H. Ahn: Adv. Funct. Mater. 20 (2010) 3577.
5) Y. Sun and J. A. Rogers: Adv Mater. 19 (2007) 1897.

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伸縮可能な薄膜トランジスタにおけるSiO2ブリッジの数値設計

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