文献

J-GLOBAL ID：201202221068452019   整理番号：12A0495293

室温において作動するシリコンナノチェーン単一電子トランジスタにおける伝導ボトルネック

Conduction Bottleneck in Silicon Nanochain Single Electron Transistors Operating at Room Temperature

著者 (13件)： RAFIQ Muhammad A. (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  RAFIQ Muhammad A. (JST-SORST, Saitama, JPN) ,  RAFIQ Muhammad A. (Pakistan Inst. Engineering and Applied Sci., Islamabad, PAK) ,  MASUBUCHI Katsunori (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  DURRANI Zahid A. K. (Imperial Coll. London, London, GBR) ,  DURRANI Zahid A. K. (JST-SORST, Saitama, JPN) ,  COLLI Alan (Nokia Res. Centre, Cambridge, GBR) ,  MIZUTA Hiroshi (Univ. Southampton, Southampton, GBR) ,  MIZUTA Hiroshi (JST-SORST, Saitama, JPN) ,  MILNE William I. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  MILNE William I. (JST-SORST, Saitama, JPN) ,  ODA Shunri (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ODA Shunri (JST-SORST, Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 2,Issue 1  ページ： 025202.1-025202.6  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一電子トランジスタを,SiO固体源の熱蒸発によって合成した単一Siナノチェーンの上に作る。ナノチェーンは,約10nmのSiナノ結晶の一次元アレイから成り,SiO₂領域によって隔てられる。300Kにおいて強いCoulomb階段が,ドレイン-ソース電流-電圧(I_ds-V_ds)特性において見られ,単一電子振動が,ドレイン-ソース電流-ゲート電圧(I_ds-V_gs)特性において見られる。300~20KからCoulombブロッケード領域における大きい増加が認められる。特性を単一電子モンテカルロシミュレーションを用いて説明し,そこでは不均質なマルチプルトンネル接合がナノチェーンを表現する。ナノチェーンの十分中のナノ結晶における容量のいかなる低減も,伝導「ボトルネック」を生成し,低電圧における電流を抑制し,Coulomb階段を改善する。この様な島における単一電子荷電エネルギーは,300Kにおいて約20k_BTと非常に高くなり得る。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 室温 ,  チェーン ,  *ナノ構造 ,  ケイ素 ,  *単一電子トランジスタ ,  電気伝導 ,  障害 ,  ナノ結晶 ,  アレイ ,  一次元 ,  二酸化ケイ素 ,  単一電子トンネル効果 ,  Coulombブロッケード ,  電流電圧特性 ,  ドレイン【半導体】 ,  ソース【半導体】 ,  振動 ,  電子 ,  シミュレーション ,  モンテカルロ法 ,  トンネル接合
準シソーラス用語： ボトルネック

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (35件)：

• 1) H. Grabert and M. H. Devoret: Single Charge Tunneling - Coulomb Blockade Phenomena in Nanostructures (Plenum Press, New York, 1991) NATO ASI Series B.
• 2) A. T. Tilke, F. C. Simmel, R. H. Blick, H. Lorenz, and J. P. Kotthaus: Prog. Quantum Electron. 25 (2001) 97.
• 3) K. K. Likharev: Proc. IEEE 87 (1999) 606.
• 4) K. K. Likharev: IEEE Trans. Magn. 23 (1987) 1142.
• 5) H. Ishikuro, T. Fujii, T. Saraya, G. Hashiguchi, T. Hiramoto, and T. Ikoma: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 3585.

タイトルに関連する用語 (6件)： 室温 ,  シリコン ,  ナノチェーン ,  単一電子トランジスタ ,  伝導 ,  ボトルネック