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J-GLOBAL ID:201202221335813913   整理番号:12A0495277

スピン-軌道相互作用と印加磁場の組み合わせによって発生する負の磁気抵抗

Negative Magnetoresistance Generated by Combination of Spin-Orbit Interaction and Applied Magnetic Field
著者 (9件):
資料名:
巻: 51  号: 2,Issue 1  ページ: 023001.1-023001.7  発行年: 2012年02月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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著者らは,通常のメカニズム,即ち,スピンに関係した易動度上昇メカニズムおよび量子干渉効果を含む軌道運動に関係したメカニズム完全に異なるメカニズムの負性磁気抵抗(MR)について理論的に研究した,提案する負性MRはスピン・軌道相互作用(SO)と外部から印加された磁場によるLorentz力間の相互作用に起因する。著者らは,SOIによるキャリア散乱が通常の衝突とLorentz力の項により縦方向散乱の項に加えて横方向散乱の項として考えられるDrudeに似たモデルを用いて,現象学的にアプローチした。また,貯砂らの提案する負性MRを観測する可能性について,著者らの予測をこの研究で新たに測定したNiおよびGd薄膜に対する実験結果と比較して論じた。(翻訳著者抄録)
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電子輸送の一般理論 
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