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J-GLOBAL ID：201202222800226368   整理番号：12A0924301

SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価

Growth and characterization of strained Ge epitaxial layers on SiGe substrates

著者 (5件)： 山羽隆 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  中塚理 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  木下恭一 (宇宙航空研究開発機構 宇宙科研) ,  依田眞一 (宇宙航空研究開発機構 宇宙科研) ,  財満鎭明 (名古屋大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 34(SDM2012 19-42)  ページ： 73-77  発行年： 2012年05月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si系ULSIの性能向上に向けて,高正孔移動度チャネル材料として二軸圧縮ひずみGeが期待されている。我々はSi_0.5Ge_0.5基板上へのエピタキシャル成長による,高品質ひずみGe層の形成を目指している。顕微ラマン分光法およびX線回折逆格子マッピングによる評価の結果,Si_0.5Ge_0.5基板上に形成した膜厚15nmのひずみGe層にひずみ量1.3%の圧縮ひずみを印加できることがわかった。また,ひずみGe層のひずみ緩和率は38%であった。ひずみ緩和の機構を調べるために,Ge/SOIの固相拡散を用いて作製したSi_xGe_1-x on Insulator上にもひずみGe層を形成し,60°転位に起因するモザイシティおよび表面ラフネスの評価を行った。また,断面TEM観察の結果より,Si_0.5Ge_0.5基板上のひずみGe層における表面ラフネスの導入がひずみ緩和につながったことが示唆される。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体材料 ,  *エピタクシー ,  キャリア移動度 ,  歪 ,  *歪測定 ,  評価
準シソーラス用語： *SiGe ,  *圧縮歪 ,  正孔移動度 ,  物性評価

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： ひずみ ,  Ge ,  エピタキシャル層 ,  成長 ,  結晶 ,  物性評価