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J-GLOBAL ID：201202223890423821   整理番号：12A1588605

ガラスリフロー処理を使用したウエハーレベルの接続用シリコンビアの特性

Characterisation of silicon through-vias for wafer-level interconnection with glass reflows

著者 (4件)： JIN J. Y. (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YOO S. (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YOO B. W. (Univ. California, Berkeley, USA) ,  KIM Y. K. (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 48  号： 21  ページ： 1354-1355  発行年： 2012年10月11日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿は,ビア(貫通電極)内の空洞,高温処理時におけるクラックの発生,ビアと基板間の絶縁不良といった従来の問題を解決するため,周囲がガラスのシリコンビアを使用した垂直配線基板の作成および特性を紹介する。シリコンとガラスリフロー処理それぞれにより,DRIE(deep reactive ion etching)を使用してシリコンビアと融合ガラスを製造した。その結果,空洞のない完全に絶縁されたシリコンビアを製造できた。ビアの抵抗は,4点探針法で測定した結果,平均91.9mΩ,標準偏差23.4mΩであった。かかる基板は,ウエハーレベルでのマイクロデバイスのパッケージ化のみならず,静電駆動型デバイスの電気的接続への適用が期待できる。

シソーラス用語： ケイ素 ,  *バイアホール ,  *ウエハ【IC】 ,  RIE【エッチング】 ,  *配線 ,  *ICパッケージ ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  基板 ,  MEMS ,  走査電子顕微鏡 ,  熱膨張係数
準シソーラス用語： DRIE【エッチング】 ,  WLP【パッケージ】 ,  TSV【配線】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (2件)： ガラス ,  リフロー処理