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J-GLOBAL ID：201202225056125131   整理番号：12A0121725

非極性,半極性,および極性バルクGaN基板の偏光Raman分光の方位依存性

Orientation dependence of polarized Raman spectroscopy for nonpolar, semi-polar, and polar bulk GaN substrates

著者 (5件)： MA Bei (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN) ,  JINNO Daiki (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN) ,  MIYAKE Hideto (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN) ,  HIRAMATSU Kazumasa (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN) ,  HARIMA Hiroshi (Dep. of Electronics, Kyoto Inst. of Technol., Kyoto 606-8585, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 1  ページ： 011909  発行年： 2012年01月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる結晶方位の高品質バルク窒化ガリウムについて偏光Raman分光を行った。横光学(TO)フォノンと縦光学(LO)フォノンは,観測された結晶面の極性から半極性-非極性へと変化すると,低周波数にシフトした。この結果はA₁光学フォノンとE₁光学フォノンの混合で説明された。さらに,LOフォノン-プラズモン結合(LOPC)モードの周波数を,キャリア密度の関数としてのピーク周波数とLOPCモードの伝搬方向を計算して,詳細に解析した。キャリア密度はHall測定結果と極めて良く一致した解析から導出した。キャリア濃度を得るのと同様,非極性GaN面を識別する簡単で,迅速な,そして非破壊的な手段を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  基板 ,  *Ramanスペクトル ,  *フォノン ,  光学モード ,  縦モード ,  横モード ,  プラズモン ,  モード結合 ,  キャリア密度 ,  非極性 ,  結晶方位 ,  結晶面 ,  顕微Raman分光法
準シソーラス用語： 横光学フォノン ,  縦光学フォノン

分類 (2件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (8件)： 非極性 ,  半極性 ,  極性 ,  バルク ,  GaN ,  偏光 ,  Raman分光 ,  方位依存性