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J-GLOBAL ID：201202225086917547   整理番号：12A1729623

ポリシリコン薄膜トランジスタのためのレーザ結晶化の三次元シミュレータ

3-D Simulator of Laser Crystallization for Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors

著者 (3件)： MATSUKI Kuniaki (Ryukoku Univ., Otsu, JPN) ,  KIMURA Mutsumi (Ryukoku Univ., Otsu, JPN) ,  ISHIHARA Ryoichi (Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名： IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing  (IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 25  号： 4  ページ： 650-656  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： T0521A  ISSN： 0894-6507  CODEN： ITSMED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大規模マイクロエレクトロニクスのキーデバイスは,ポリシリコン薄膜トランジスタ(ポリSi TFT)である。それは,大きな基板に低コストで作成可能であり,機能回路を構成するのに十分なトランジスタ性能をもつからである。レーザ結晶化は,ポリSi TFTのための最も重要なプロセスの一つである。本稿では,ポリSi TFTのためのレーザ結晶化の三次元シミュレータを開発した。ランダム核形成,結晶成長速度,潜熱放射および部分結晶化など,物理モデルをレビューして,二次元アルゴリズムを三次元アルゴリズムに拡張した。μ-Czochralski技法を三次元シミュレータを用いて解析した。それにより,粒子サイズが,レーザ照射後の初期温度が高いと,大きくなることを明らかにした。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  レーザ ,  三次元 ,  *シミュレータ ,  結晶化 ,  *ポリシリコン ,  マイクロエレクトロニクス ,  核形成 ,  成長速度 ,  潜熱
準シソーラス用語： 結晶成長速度 ,  多結晶シリコン

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (5件)： ポリシリコン ,  薄膜トランジスタ ,  レーザ ,  結晶化 ,  シミュレータ