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J-GLOBAL ID：201202226299693290   整理番号：12A1438601

原子状水素援用MBEによる2次元GaAsナノディスクアレイのGaAs/AlGaAsキャップ層再成長

著者 (13件)： 海津利行 (東大 先端科学技研セ) ,  海津利行 (JST-CREST) ,  田村洋典 (東北大 流体科研) ,  田村洋典 (JST-CREST) ,  五十嵐誠 (東北大 流体科研) ,  五十嵐誠 (JST-CREST) ,  HU W. (東北大 流体科研) ,  HU W. (JST-CREST) ,  寒川誠二 (東北大 流体科研) ,  寒川誠二 (東北大 WPI-AIMR) ,  寒川誠二 (JST-CREST) ,  岡田至崇 (東大 先端科学技研セ) ,  岡田至崇 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.11P-J-13  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  量子ドット ,  アレイ ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ヒ化ガリウム ,  保護膜 ,  *MBE成長 ,  太陽電池 ,  *光ルミネセンス ,  表面構造 ,  原子 ,  照射 ,  赤方偏移 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム
準シソーラス用語： *キャップ層 ,  *ナノディスク ,  水素原子 ,  表面モホロジー

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (10件)： 原子状水素 ,  援用 ,  MBE ,  2次元 ,  GaAs ,  ナノディスク ,  アレイ ,  AlGaAs ,  キャップ層 ,  再成長