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J-GLOBAL ID：201202227600176678   整理番号：12A0960543

SiC(111)/Si(111)上のエピタキシャルグラフェンのSiH₄処理による膜の品質改善

Improvement in Film Quality of Epitaxial Graphene on SiC(111)/Si(111) by SiH₄ Pretreatment

著者 (8件)： SANBONSUGE Shota (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ABE Shunsuke (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANDA Hiroyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKAHASHI Ryota (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IMAIZUMI Kei (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUKIDOME Hirokazu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUEMITSU Maki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUEMITSU Maki (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 6,Issue 2  ページ： 06FD10.1-06FD10.4  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンをSi基デバイスに融合させるための実現可能性として,3C-SiC/Si(GOS)上へのグラフェンのエピタキシャル成長が大きく注目を集めている。グラフェンを成長させる前の3C-SiC膜の表面条件が,GOS(グラフェンオンシリコン)膜の品質を決定する重要な役割を演じることが知られている。我々は6.7×10^-4PaのSiH₄分圧下での3C-SiC膜の前処理が,その後のグラフェンの形成に及ぼす影響を調べた。その結果,SiH^-4事前処理は自然酸化物の存在によるSi空孔および点欠陥のようなSiC表面上の欠陥を修復し,グラフェンの品質を改善することが分かった。この効果は基板温度が1173Kのとき最も高いことを見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  基板 ,  ケイ素 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ヘテロエピタクシー ,  *炭素材 ,  *前処理 ,  MBE成長 ,  シラン ,  点欠陥 ,  空孔欠陥 ,  *品質 ,  基板温度 ,  *グラフェン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (36件)：

• 1) K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov: Science 306 (2004) 666.
• 2) C. Lee, X. Wei, J. W. Kysar, and J. Hone: Science 321 (2008) 385.
• 3) R. Kaplan: Surf. Sci. 215 (1989) 111.
• 4) I. Forbeaux, J. M. Themlin, and J. M. Debever: Phys. Rev. B 58 (1998) 16396.
• 5) K. V. Emtsev, F. Speck, Th. Seyller, and L. Ley: Phys. Rev. B 77 (2008) 155303.

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  Si ,  エピタキシャルグラフェン ,  SiH4 ,  品質改善