テラヘルツ領域でのIn<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N薄膜の特性

GAUTHIER-BRUN A.; TENG J. H.; DOGHECHE E.; LIU W.; GOKARNA A.; TONOUCHI M.; CHUA S. J.; DECOSTER D.

文献

J-GLOBAL ID：201202227757505659 整理番号：12A0385843

テラヘルツ領域でのIn_xGa_1-xN薄膜の特性

Properties of In_xGa_1-xN films in terahertz range

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巻： 100 号： 7 ページ： 071913 発行年： 2012年02月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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一組のGaN薄膜の屈折率及び複素伝導率の特性を報告する。異なるキャリア濃度,インジウム濃度変化x=0.07~x=0.14で,金属有機化学蒸着で成長するInN薄膜及びIn_xGa_1-xN薄膜について,0.3から3THzまでの周波数に対し,テラヘルツ時間領域分光法(THz-TD)を用いた。THz範囲のIn_xGa_1-xN薄膜の屈折率を報告する。THz-TDS方法を用いて決定されたキャリア密度及び移動度は,4プローブHall測定と良く一致する。(翻訳著者抄録)

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