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J-GLOBAL ID：201202227822977580   整理番号：12A0444007

Sn-3.0Ag-0.5Cuはんだバンプの界面反応特性に対する表面処理と電流ストレスの影響

Effects of Surface Finishes and Current Stressing on Interfacial Reaction Characteristics of Sn-3.0Ag-0.5Cu Solder Bumps

著者 (4件)： KIM Jae-Myeong (Andong National Univ., School of Materials Sci. and Engineering, 760-749, Andong, KOR) ,  JEONG Myeong-Hyeok (Andong National Univ., School of Materials Sci. and Engineering, 760-749, Andong, KOR) ,  YOO Sehoon (Micro-Joining Center, Korea Inst. of Industrial Technol., 406-840, Incheon, KOR) ,  PARK Young-Bae (Andong National Univ., School of Materials Sci. and Engineering, 760-749, Andong, KOR)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 41  号： 4  ページ： 791-799  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ボールグリッドアレイ(BGA)Sn-3.0Ag-0.5Cu鉛フリーはんだバンプのin situ界面反応特性に対する表面処理の影響を,130°Cから175°Cと5.0×10³A/cm²のアニーリングとエレクトロマイグレーション(EM)試験条件で調べた。リフローとアニーリング中に,(Cu,Ni)₆Sn₅金属間化合物(IMC)が無電解ニッケル浸漬金(ENIG)めっきの界面に形成した。浸漬Snめっきと有機はんだ付け性保存(OSP)処理の両方の場合,Cu₆Sn₅とCu₃Sn IMCsが生成した。全体として,ENIGのIMC成長速度は他の処理と比べてはるかに低かった。全IMCsの活性化エネルギーは,ENIGでは0.52eV,浸漬Snでは0.78eV,そしてOSPでは0.72eVであることが分かった。ENIGめっき処理はCu基板とはんだ間の有効な拡散障壁であり,Cu系パッドシステムと比べて優れたEM信頼性を持つことが分かった。in situ EM試験により故障メカニズムを詳細に調べた。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ストレス ,  ICパッケージ ,  はんだ ,  バンプ ,  不均一系反応 ,  表面処理 ,  焼なまし ,  エレクトロマイグレーション ,  金属間化合物 ,  *無電解めっき ,  ニッケルめっき ,  成長速度 ,  活性化エネルギー ,  *拡散障壁 ,  機構
準シソーラス用語： アニーリング処理 ,  はんだバンプ ,  ボールグリッドアレイ ,  *鉛フリーはんだ ,  界面反応 ,  故障メカニズム ,  電流ストレス

分類 (2件)： 接続部品  (NA05050Z) ,  無電解めっき  (WC08024S)

タイトルに関連する用語 (6件)： Sn ,  はんだバンプ ,  界面 ,  反応特性 ,  表面処理 ,  電流ストレス