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J-GLOBAL ID：201202228312633556   整理番号：12A1697847

硬X線角度分解光電子による希薄磁性半導体Ga_1-xMn_xAsのバルク電子構造

Bulk electronic structure of the dilute magnetic semiconductor Ga_1-xMn_xAs through hard X-ray angle-resolved photoemission

著者 (19件)： GRAY A. X. (Univ. California Davis, California, USA) ,  GRAY A. X. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  GRAY A. X. (Stanford Inst. for Materials and Energy Sci., Stanford Univ. and SLAC National Accelerator Lab., California, USA) ,  MINAR J. (Ludwig Maximillian Univ., Munich, DEU) ,  UEDA S. (National Inst. for Materials Sci., Hyogo, JPN) ,  STONE P. R. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  STONE P. R. (Univ. California Berkeley, California, USA) ,  YAMASHITA Y. (National Inst. for Materials Sci., Hyogo, JPN) ,  FUJII J. (Istituto Officina dei Materiali IOM, CNR, Trieste, ITA) ,  BRAUN J. (Ludwig Maximillian Univ., Munich, DEU) ,  PLUCINSKI L. (Res. Center Juelich, Juelich, DEU) ,  SCHNEIDER C. M. (Res. Center Juelich, Juelich, DEU) ,  PANACCIONE G. (Istituto Officina dei Materiali IOM, CNR, Trieste, ITA) ,  EBERT H. (Ludwig Maximillian Univ., Munich, DEU) ,  DUBON O. D. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  DUBON O. D. (Univ. California Berkeley, California, USA) ,  KOBAYASHI K. (National Inst. for Materials Sci., Hyogo, JPN) ,  FADLEY C. S. (Univ. California Davis, California, USA) ,  FADLEY C. S. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 11  号： 11  ページ： 957-962  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga_1-xMn_xAsの強磁性発現機構として,MnとGaAsの価電子の混成によるp-d交換交互作用と,Mnの不純物バンド形成による2重交換相互作用が考えられている。これらを明確にする目的で,Ga_0.97Mn_0.03Asのバルク電子構造を,硬X線を用いた光電子分光法により評価した。試料はイオン注入とパルスレーザー溶融法により作製し,比較のためにGaAs試料も測定した。Ga_0.97Mn_0.03AsとGaAs間に顕著な相違が認められ,理論的予測と一致した。Mnはフェルミレベルと荷電子帯との間にレベルを形成することが明らかとなり,強磁性の発現機構がp-d交換交互作用であることが明らかとなった。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *ガリウム化合物 ,  マンガン化合物 ,  ヒ素化合物 ,  *強磁性体 ,  強磁性 ,  電子構造 ,  交換相互作用 ,  バンド構造 ,  結合エネルギー

分類 (3件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  磁気的性質  (WB02020J) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 硬X線 ,  分解 ,  光電子 ,  希薄磁性半導体 ,  バルク ,  電子構造