ポリシリコンチャネル電界効果トランジスタ用SiO<sub>2</sub>における欠陥の生成とブレークダウン特性

HIRANO Izumi; SAITOH Masumi; NUMATA Toshinori; MITANI Yuichiro

文献

J-GLOBAL ID：201202228458557690 整理番号：12A0706053

ポリシリコンチャネル電界効果トランジスタ用SiO₂における欠陥の生成とブレークダウン特性

Characteristics of Defect Generation and Breakdown in SiO₂ for Polycrystalline Silicon Channel Field-Effect Transistor

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資料名：
巻： 51 号： 4,Issue 2 ページ： 04DA02.1-04DA02.5 発行年： 2012年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本研究では,多結晶シリコン(ポリシリコン)チャネル電界効果トランジスタ(FET)について,欠陥生成とブレークダウン特性を,チャネル領域のスケーリングの見地から詳細に調べた。ポリシリコンの結晶粒径よりも十分に大きなチャネル領域の場合には,ポリシリコン上のSiO₂中の欠陥は,Si(100)チャネル上のそれよりも容易に生じ,ポリシリコンチャネルに対するブレークダウンに至る電荷量(Q_bd)のWeibull傾斜は,Si(100)チャネルのそれよりも小さくなり,信頼性は劣ることを示した。チャネル領域が結晶粒径と同程度になると,ポリシリコンチャネルFETのQ_bdのWeibull傾斜は急勾配になり,Si(100)チャネルのものに近づいた。ポリシリコンチャネルの結晶粒径の制御と表面方位のエンジニアニングが,さらにスケーリングされたポリシリコンチャネルデバイスの信頼性の向上に必要であることを指摘した。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (34件)：

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ポリシリコンチャネル電界効果トランジスタ用SiO2における欠陥の生成とブレークダウン特性

ポリシリコンチャネル電界効果トランジスタ用SiO₂における欠陥の生成とブレークダウン特性