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J-GLOBAL ID：201202228711729265   整理番号：12A0063452

トポロジカル絶縁体Bi₂Te₃超薄膜へのPbドープによるフェルミ準位制御と電気伝導度測定

著者 (7件)： 相谷昌紀 (東大 理) ,  平原徹 (東大 理) ,  坂本裕介 (東大 理) ,  山田学 (東大 理) ,  宮崎秀俊 (名古屋工大) ,  木村真一 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  長谷川修司 (東大 理)
資料名： 表面科学学術講演会講演要旨集  (表面科学学術講演会要旨集)
巻： 31st  ページ： 28  発行年： 2011年12月15日 
JST資料番号： L1366A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *テルル化物 ,  *ビスマス化合物 ,  超薄膜 ,  鉛 ,  *Fermi準位 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  MBE成長 ,  ドーピング ,  基板温度 ,  電気伝導率 ,  バンド構造 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *トポロジカル絶縁体 ,  テルル化ビスマス ,  ARPES
準シソーラス用語： 角度分解光電子分光法

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： トポロジカル絶縁体 ,  超薄膜 ,  Pb ,  ドープ ,  フェルミ準位 ,  電気伝導度測定