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J-GLOBAL ID：201202230239658892   整理番号：12A1067380

a-C:H膜堆積における水素同位体トレーサー実験 CH₄とD₂を伴う反応性RFマグネトロンスパッタリング

Hydrogen isotope tracer experiment in a-C:H film deposition: Reactive RF magnetron sputtering with CH₄ and D₂

著者 (7件)： SEKIBA D. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  SEKIBA D. (Tandem Accelerator Complex, Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Ibaraki 305-8577, JPN) ,  TAKEMOTO N. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  OKADA M. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  ISHII S. (Tandem Accelerator Complex, Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Ibaraki 305-8577, JPN) ,  SAKURAI T. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  AKIMOTO K. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Ibaraki 305-8573, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 27-28  ページ： 60-63  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CH₄とD₂を含む反応性RFマグネトロンスパッタリングにより作製したa-C:H膜に対して水素同位体トレーサー実験を行った。プロセスガス中のD₂分圧を変化させることにより異なる9個の試料を作製した。膜中のCに対して相対的なHおよびDの濃度をERDAおよびRBSにより決定した。H+D濃度の総量は約22.7%で一定であることを見出した。このことは,水素がCの4つの手の1つと化学結合して,格子間位置に存在する水素原子はほとんどないことを意味している。膜中のD濃度は相対分圧P_D2/(P_D2+P_CH4)の増大と共に比例して大きくなった。このことは活性化したCH₄およびD₂分子が成長膜に付着し,HおよびD原子を放出することを意味している。XPSの結果は,作製した全ての試料が同じsp³リッチ構造を有していることを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ガラス状炭素 ,  薄膜 ,  製膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  重水素 ,  トレーサ法 ,  放射線吸収・散乱分析 ,  Rutherford後方散乱 ,  化学結合 ,  アルカン
準シソーラス用語： 弾性反跳検出分析

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (6件)： 堆積 ,  水素同位体 ,  トレーサー ,  実験 ,  反応性 ,  RFマグネトロンスパッタリング