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J-GLOBAL ID：201202230826505837   整理番号：12A1727404

電子ビームリソグラフィによるナノ電極間へ信頼できる3nmギャップの製造

Reliable fabrication of 3 nm gaps between nanoelectrodes by electron-beam lithography

著者 (5件)： MANHELLER Marcel (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU) ,  TRELLENKAMP Stefan (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU) ,  WASER Rainer (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU) ,  WASER Rainer (RWTH Aachen, Aachen, DEU) ,  KARTHAEUSER Silvia (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 12  ページ： 125302,1-6  発行年： 2012年03月30日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノエレクトロニクスやナノフォトニクスに有望な100nm以下のマイクロパターン作製技術の一つとして,事前に決められたナノ電極の間に3nm±1nmのギャップを形成する信頼性の高い製造法について研究した。1インチ角Si上に400nm厚みの熱酸化SiO₂絶縁層を形成したものを基板にした。55%の収率でナノ電極形成できる電子ビームリソグラフィ(EBL)によって電極配列を形成した。アンダーカットを避けることのできる2層レジスト方式とリフトオフ法で,レジストはPMJIとPMMAを用いた。EBL固有の電子散乱近接効果のシミュレーションを行い,その結果を踏まえて精密なナノ電極パターン設計に活用して所望のナノ電極ギャップを形成できた。

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,  *微小電極 ,  *間隙 ,  電極 ,  基板 ,  ケイ素 ,  熱酸化 ,  二酸化ケイ素 ,  微細加工 ,  レジスト ,  電子散乱
準シソーラス用語： ナノ電極 ,  *電極ギャップ ,  リフトオフ法

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子ビームリソグラフィ ,  ナノ電極 ,  信頼 ,  ギャップ