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J-GLOBAL ID：201202230846145195   整理番号：12A1745551

Ta₂O₅系原子スイッチにおけるコンダクタンス量子化およびシナプス性

Conductance quantization and synaptic behavior in a Ta₂O₅-based atomic switch

著者 (6件)： TSURUOKA Tohru (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA Tsuyoshi (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  TSURUOKA Tohru (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA Tsuyoshi (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  TERABE Kazuya (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  AONO Masakazu (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 43  ページ： 435705,1-6  発行年： 2012年11月02日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物系ギャップレス型原子スイッチの電圧-パルス制御コンダクタンス量子化について調べた。電圧バイアス下において,Ag/Ta₂O₅/Ptセルで量子化コンダクタンスが見られ,酸化物層で原子点接触が生じていることが示唆された。コンダクタンスレベルは入力電圧パルス振幅により制御できた。また,連続的入力パルスの間隔時間を調整すると,このセルは生化学的シナプスと類似した長期増強性を示した。このシナプス性は従来のCMOSトランジスタ系ON/OFF双安定素子では実現が難しいため,酸化物系ギャップレス型原子スイッチは,脳から着想を得たコンピューターシステムの重要な構成要素としての可能性があると考えられる。

シソーラス用語： *スイッチ ,  *コンダクタンス ,  *量子化 ,  *シナプス ,  *酸化タンタル ,  長期増強 ,  MIM構造 ,  イオン輸送 ,  白金 ,  銀 ,  計算機システム
準シソーラス用語： *原子スイッチ

分類 (3件)： 継電器・スイッチ  (NA05060K) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ta2O5 ,  原子スイッチ ,  コンダクタンス ,  量子化 ,  シナプス