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J-GLOBAL ID：201202231164836931   整理番号：12A0688249

He及びArプラズマによりエッチングした窒化ガリウム結晶の損傷解析

Damage analysis of gallium nitride crystals etched by He and Ar plasma

著者 (6件)： KOTAKA Takuya (Univ. Hyogo) ,  NIIBE Masahito (Univ. Hyogo) ,  KAWAKAMI Retsuo (Univ. Tokushima, JPN) ,  INAOKA Takeshi (Univ. Tokushima, JPN) ,  TOMINAGA Kikuo (Univ. Tokushima, JPN) ,  MUKAI Takashi (NICHIA Corp., JPN)
資料名： LASTI Annual Report  (LASTI Annual Report)
巻： 12  ページ： 58-59  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： L4711A  ISSN： 2189-6909  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能のGaN半導体素子を実現するためにはプラズマナによるエッチングを精密に制御する必要がある。He及びAr誘導結合プラズマによるエッチング損傷を調べた。表面の局所原子構造を軟X線吸収分光法により評価した。Arプラズマエッチ表面のN-K吸収スペクトルは不規則な結晶構造を示唆した。Heプラズマエッチ表面のスペクトルから観測した結晶構造の乱れはArプラズマエッチ表面のそれよりも小さかった。

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,  *窒化ガリウム ,  *照射損傷 ,  原子構造 ,  軟X線 ,  X線吸収スペクトル ,  半導体薄膜 ,  半導体材料 ,  表面構造 ,  結晶構造
準シソーラス用語： *プラズマ損傷

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： He ,  Ar ,  プラズマ ,  エッチング ,  窒化ガリウム ,  結晶 ,  損傷解析