文献

J-GLOBAL ID：201202231358698386   整理番号：12A0273870

r-面サファイア上に成長させたa-面InGaN/GaNの多重量子井戸から成るLEDの成長と特性評価

Growth and characterization of a-plane InGaN/GaN multiple quantum well LEDs grown on r-plane sapphire

著者 (6件)： SONG Keun Man (Korea Advanced Nano Fab Center (KANC), Suwon, KOR) ,  SONG Keun Man (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Jong-Min (Korea Advanced Nano Fab Center (KANC), Suwon, KOR) ,  SHIN Chan-Soo (Korea Advanced Nano Fab Center (KANC), Suwon, KOR) ,  HWANG Sung-Min (Korea Electronics Technol. Inst., Seongnam, KOR) ,  YOON Dae-Ho (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 1  ページ： 015011,1-6  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaNの井戸幅と周期が異なる非極性a-面を持つInGaN/GaNの多重量子井戸(MQW)から成る発光ダイオード(LED)を評価した。光ルミネセンス(PL)の結果とは対照的に,井戸幅が増すとエレクトロルミネセンス(EL)の出力は0.68から0.89mWに,また20mAにおける順方向動作バイアスは3.41から3.66Vに僅かに増大することが分かった。InGaNの井戸幅が増すと,界面の品質は低下するけれども,キャリアの捕獲速度が増すためにELの相対的な出力は増加することが分かった。最適なa-面InGaNの井戸幅は,非極性QWにおける分極場が弱いために,c-面InGaNの井戸幅よりも可成り広いことが分かった。MQWの周期を7層まで増すと,MQWの結晶性と界面の品質が改善されるためにLEDの相対的な出力は増大することが分かった。一方,MQWの周期が増大すると,アンドープGaNの障壁に関係する直列抵抗が増すので,20mAにおける順方向動作電圧は3.58から4.23Vに増大することが分かった。結果として,ヘテロ界面を持つ非極性GaNの成長は,オプトエレクトロニクス素子の性能の改善という観点から非常に有用であることが結論づけられる。

シソーラス用語： 基板 ,  サファイア ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  多重量子井戸 ,  *発光ダイオード ,  光ルミネセンス ,  *エレクトロルミネセンス ,  キャリア捕獲 ,  電気抵抗 ,  X線回折
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム ,  直列抵抗 ,  動作電圧

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： サファイア ,  成長 ,  InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  LED ,  特性評価