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J-GLOBAL ID：201202231473839236   整理番号：12A1154439

バイオテンプレートおよび中性ビームエッチングを用いて製作した6.4-nm-直径シリコンナノデイスクの二次元アレイを用いた量子ドット太陽電池

Quantum dot solar cells using 2-dimensional array of 6.4-nm-diameter silicon nanodisks fabricated using bio-templates and neutral beam etching

著者 (6件)： IGARASHI Makoto (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 9808577, JPN) ,  FAIRUZ BUDIMAN Mohd (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 9808577, JPN) ,  PAN Wugen (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 9808577, JPN) ,  HU Weiguo (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 9808577, JPN) ,  USAMI Noritaka (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 9808577, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 9808577, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 6  ページ： 063121-063121-3  発行年： 2012年08月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC中間層を有する量子ドット超格子としてSiナノロッド(Si-NDs)のサブ-10-nm高規則化および高密度二次元(2D)アレイから成る量子ドット太陽電池が達成された。Si-NDsは4.5-nm-直径の鉄コアを有するバイオテンプレートの2Dアレイおよび損傷を与えない中性ビームエッチングを含む新規なトップ-ダウンプロセスにより製作された(Si-ND直径:6.4nm)。Si-NDアレイはミニバンド形成による高い光学吸収係数を有する。その結果,電池は0.556Vの開放端電圧,31.3mA/cm²の短絡電流密度,72%の曲線因子および12.6%の変換効率を達成している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *量子ドット ,  中性粒子ビーム ,  Listeria ,  酸化鉄 ,  *ケイ素 ,  エッチング ,  鋳型反応 ,  炭化ケイ素 ,  半導体 ,  *人工超格子 ,  *ナノ構造 ,  記憶媒体
準シソーラス用語： ナノディスク ,  開放端電圧 ,  曲線因子 ,  光電変換効率 ,  生体鋳型 ,  短絡電流密度

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： バイオテンプレート ,  中性ビーム ,  エッチング ,  製作 ,  直径 ,  二次元アレイ ,  量子ドット太陽電池