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J-GLOBAL ID：201202231700157708   整理番号：12A1446041

工場におけるDOMA修正のための効率を改善するレチクル密度ベースクリティカルディメンション均一性

Reticle intensity based Critical Dimension Uniformity to improve efficiency for DOMA correction in a foundry

著者 (12件)： TANG Kin Wai (GLOBALFOUNDRIES Songapore Pte Ltd., Singapore) ,  NG Teng Hwee (GLOBALFOUNDRIES Songapore Pte Ltd., Singapore) ,  HUANG Lei (GLOBALFOUNDRIES Songapore Pte Ltd., Singapore) ,  NG Susan (GLOBALFOUNDRIES Songapore Pte Ltd., Singapore) ,  KU Thomas (GLOBALFOUNDRIES Songapore Pte Ltd., Singapore) ,  CHIA Wee Teck (KLA-Tencor Singapore, Singapore) ,  CHUA Lin (KLA-Tencor Singapore, Singapore) ,  LI William (KLA-Tencor Singapore, Singapore) ,  CHIN Aaron (KLA-Tencor Singapore, Singapore) ,  DAYAL Aditya (KLA-Tencor Corp., CA, USA) ,  VAVUL Tom (KLA-Tencor Corp., CA, USA) ,  HUTCHINSON Trent (KLA-Tencor Corp., CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8324  号： Pt.2  ページ： 83242W.1-83242W.8  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フィールド内クリティカルディメンション(CD)均一性は,最新技術における歩留り損失に大きく貢献するものとして報告されている。本稿では,多くのデバイスにおけるレチクルCD均一性(iCDU)のための修正のiCDU法をテストした。そしてウエハレベルCD均一性および製品歩留り両者の改善を観察した。iCDU方法を,ウエハ製造にて実現に成功した。そして,65nm技術ノードマルチチップ論理レチクルのためにフィールド内CD均一性を改善した。SEM測定による従来の方法との比較により,iCDUは,能力と同様に生産性にて明らかな利点を提供した。iCDUをCD-SEM 測定のためにウエハを晒すことなしに実現した。大量のプロトタイプデバイスによる大量生産にて特に有効であることをしめした。

シソーラス用語： *長さ ,  *均一性 ,  *レチクル ,  *歩留り ,  走査電子顕微鏡 ,  ウエハ【IC】 ,  大量生産 ,  プロトタイプ
準シソーラス用語： CD-SEM【顕微鏡】 ,  CD均一性 ,  クリティカルディメンジョン ,  *クリティカルディメンジョン均一性

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 工場 ,  レチクル ,  密度 ,  クリティカルディメンション ,  均一性