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J-GLOBAL ID：201202232157315914   整理番号：12A0025871

180nmフラッシュメモリ技術における放射線誘発の浅いトレンチ素子分離漏れ

Radiation-induced shallow trench isolation leakage in 180-nm flash memory technology

著者 (7件)： NING Bingxu (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN) ,  ZHANG Zhengxuan (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN) ,  LIU Zhangli (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN) ,  HU Zhiyuan (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN) ,  CHEN Ming (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN) ,  BI Dawei (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN) ,  ZOU Shichang (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 52  号： 1  ページ： 130-136  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 180nmフラッシュメモリ技術におけるデバイス間およびデバイス内漏れ電流に及ぼす総照射線量(TID)照射の影響を調べる。浅いトレンチ素子分離(STI)酸化物における正の酸化物トラップ電荷は,パンチスルー漏れ増加およびパンチスルー電圧低減に関与している。STI側壁に沿った不均一放射線誘発酸化物トラップ電荷分布を導入して,入力/出力(I/O)デバイスおよび高電圧(HV)デバイスの放射線応答を解析する。低線量レベルでは,トラップ電荷によって生じるSTI隅部近傍での反転がこの領域での低ドーピング濃度により簡単に発生する。この反転はサブ閾値ハンプ効果を上昇させる。総線量レベルが増加するにつれて,デバイス内オフ状態漏れ電流を支配しながら,STI酸化物の深い領域での電荷の累積が増加する。STI隅部スキームおよび基板ドーピング分布は照射後のデバイス性能への影響について重要な役割を果たすことを論じた。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  *トレンチカット【加工】 ,  *半導体接合 ,  線量率 ,  *アイソレーション【IC】 ,  テスト構造 ,  *電流電圧特性 ,  漏れ電流 ,  電荷分布 ,  正規分布 ,  NMOS構造 ,  側壁 ,  信頼性
準シソーラス用語： 浅い接合 ,  STI【アイソレーション】 ,  電荷密度

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： フラッシュメモリ ,  放射線 ,  誘発 ,  トレンチ ,  素子分離