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J-GLOBAL ID：201202232368879679   整理番号：12A0599946

酸化物ベースのキャップレス型原子スイッチのスイッチング特性に対する湿度の影響

Effects of Moisture on the Switching Characteristics of Oxide-Based, Gapless-Type Atomic Switches

著者 (10件)： TSURUOKA Tohru (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba, JPN) ,  TSURUOKA Tohru (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  TERABE Kazuya (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba, JPN) ,  HASEGAWA Tsuyoshi (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba, JPN) ,  HASEGAWA Tsuyoshi (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  VALOV Ilia (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  VALOV Ilia (RWTH Aachen, Aachen, DEU) ,  WASER Rainer (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  WASER Rainer (RWTH Aachen, Aachen, DEU) ,  AONO Masakazu (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba, JPN)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 22  号： 1  ページ： 70-77  発行年： 2012年01月11日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗メモリーは省電力で,デバイスの微細化にも対応できる。本研究では,Cu/SiO₂/PtおよびCu/Ta₂O₅/Pt構造を石英基板およびSiO₂で覆われたSi基板上に作製し,原子スイッチ挙動に対する湿度の影響を調べた。SiO₂の厚さは8.5および17nmで,Ta₂O₅の厚さは7.5および15nmとした。電流-電圧特性を異なる水蒸気分圧および温度で測定すると共に,酸化物膜のFT-IR測定を行った。その結果,アノード界面のCuのイオン化は酸化物層中の残留水による化学的酸化によることを示した。また,Cuイオンは水吸収により水素結合ネットワークが形成された酸化物粒界に沿って移動し,結果として水分圧は動作電圧に影響することを明らかにした。

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *銅 ,  酸化タンタル ,  酸化ケイ素 ,  ナノ複合材料 ,  電流電圧特性 ,  ヒステリシス ,  スイッチング ,  スイッチング素子 ,  水分依存性 ,  イオン化
準シソーラス用語： *抵抗変化型メモリ

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化物 ,  キャップ ,  レス ,  原子スイッチ ,  スイッチング特性 ,  湿度