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J-GLOBAL ID：201202233271243377   整理番号：12A0025876

導電性原子間力顕微鏡法によるナノメータ分解能での単一ビット故障

Single-bit failure analysis at a nanometer resolution by conductive atomic force microscopy

著者 (3件)： JIANG Yong (School of Chemistry and Chemical Engineering, Southeast Univ., Jiangning, Nanjing, Jiangsu 211189, CHN) ,  LAI Li-lung (Semiconductor Manufacturing International Corp., Shanghai 201203, CHN) ,  ZHOU Jian-jun (Coll. of Chemistry, Beijing Normal Univ., Beijing 100875, CHN)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 52  号： 1  ページ： 159-164  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積回路(IC)のナノメータスケールやマイクロメータスケールでの故障解析(FA)は,新しいICデバイスの複雑さが増加し,そのサイズが減少するにつれて次第に難しくなってきている。本文では,単一ビット故障解析に対する代替手法として導電性原子間力顕微鏡法(CAFM)を使用した。CAFM電流イメージングを用いて,CAFM走査中に適当なバイアスを印加して各故障ビットを排除でき,その位置を迅速で簡単に求められる。更に,CAFM電流-電圧(I-V)測定を用いて,各故障ビットの全ての電気特性を収集でき,これは物理的欠陥に関連した機構を決定するのに非常に有用である。その結果,I-V測定を加えたCAFM電流イメージングは単一ビットレベルでのFAに対して有力候補となることが分かった。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *原子間力顕微鏡 ,  導電性 ,  *電流電圧特性 ,  *顕微鏡観察 ,  *故障解析 ,  信頼性 ,  ナノ構造 ,  電気伝導 ,  表面構造 ,  故障点標定 ,  集束イオンビーム ,  集積回路
準シソーラス用語： 導電性原子間力顕微鏡 ,  表面伝導

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 導電性原子間力顕微鏡 ,  ナノメータ ,  分解能 ,  故障